热氧化法在泡沫铜上制备CuO纳米线及其光催化性能研究

发布时间：2017-08-23 22:17

  本文关键词：热氧化法在泡沫铜上制备CuO纳米线及其光催化性能研究

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【摘要】：采用热氧化方法,在泡沫铜上制备了高度有序的三维CuO纳米线(CuO NWs)阵列;利用扫描电镜(SEM),X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对CuO NWs阵列的形貌、成分以及结构等进行了表征。重点研究了不同氧化温度对CuO NWs形貌和氧化物平均晶粒尺寸的影响,讨论了纳米线的生长机制。结果表明:CuO NWs直径随温度升高而增大,密度随Cu2O平均晶粒尺寸增大而减小,CuO NWs的最佳生长温度为400℃,直径在50~120 nm,长度可达5μm,长径比最大,不易脱落。同时也研究了CuO NWs阵列光催化降解甲基橙的能力。结果表明:CuO NWs在可见光和紫外光照射下对甲基橙进行光催化降解时,其降解效率分别高达76.6%和87.2%。
【作者单位】： 北京师范大学核科学与技术学院射线束技术与材料改性教育部重点实验室;
【关键词】： 热氧化法 泡沫铜 CuO纳米线 光催化降解 甲基橙
【基金】：国家自然科学基金青年基金项目(11305009)资助
【分类号】：O643.36;TQ131.21
【正文快照】： 一维金属氧化物半导体纳米结构材料引起了人们的广泛研究和关注,如纳米线、纳米管、纳米棒等。由于具有表面效应和量子效应,从而显示出独特的物理性能,使其在不同领域具有很大的应用潜力[1-2]。在不同的金属氧化物中,氧化铜(Cu O)是一种窄带隙的典型p型半导体材料,禁带宽度为1，

本文编号：727612