强激光照射对6H-SiC晶体电子特性的影响

发布时间：2017-09-25 21:30

  本文关键词：强激光照射对6H-SiC晶体电子特性的影响

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【摘要】：使用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势法,模拟研究了纤锌矿6H-SiC晶体在强激光照射下电子特性的变化.研究结果表明,电子温度T_e在升高到3.89 eV及以上后,6H-SiC由间接带隙的晶体变为直接带隙的晶体;带隙值随电子温度T_e升高先是增大后又快速减小,当电子温度T_e大于4.25 eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性.
【作者单位】： 四川民族学院数学系;四川大学原子与分子物理研究所;
【关键词】： H-SiC 电子特性 激光照射 密度泛函微扰理论
【基金】：国家科技部支撑计划(批准号:2014GB111001,2014GB125000) 四川省教育厅自然科学项目(批准号:16ZA0363)资助的课题~~
【分类号】：O73
【正文快照】： 化.Shen等[12,13]基于密度泛函理论,模拟研究了1引言Al2Au,Cu和Ag在强激光辐射下的电子特性、晶格稳定性和热容量等物理特性的变化.Van Vechten等[1]用强激光辐射金刚石结构的激光诱导半导体超快速物理变化不同于传统半导体物质时观察到晶体结构变得不稳定,分析认的热过渡物理

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前5条

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本文编号：919717