闪存的低温下低工作电压Vcc读取失效分析

发布时间：2020-12-10 00:01

　　研究闪存(NOR)的读取原理,并针对读取失效的模式进行分析讨论,通过测试的时延来解决测试程序时钟的误判问题。 

【文章来源】：苏州大学学报(工科版). 2007年06期 第42-44页

【文章页数】：3 页

【部分图文】：

闪存的基本存储结构图

的产品在低于3. 0V达到2. 6V时仍有效工作,如图3所示。进一步的实验如图4所示,所测试的产品的速度随着测试温度的降低而降低。通过对不良品与良品的测试环境下的参考电流与参考电压的对比,发现并无显著的差异。如表1的数据所示。表1　测试状况下良品与不良品的参数值编号不良品的参考电流值/mA擦除电流编程电流读取电流诊断电流不良品的参考电压值/V1 11·06 12·94 10·82 4·10 1·3304 11·00 13·72 11·40 3·84 1·27295 11·68 13·78 10·52 4·26 1·276169 11·46 13·06 12·08 4·64 1·314均值11·30 13·38 11·21 4·21 1·30编号良品的参考电流值/mA擦除电流编程电流读取电流诊断电流良品的参考电压值/V1 11·34 13·12 12·16 4·50 1·3002 11·76 13·58 11·82 4·32 1·3103 11·52 13·32 11·40 4·12 1·2824 11·50 13·38 12·16 4·06 1·280均值11·53 13·35 11·89 4·25 1·293差异(0·23) 0·03 (0·68) (0·04) 0·0052　分析与讨论借助光电子显微镜观察晶元的表面,并无异常现象。可见失效的产品并无结构的缺陷与异常;而电性能的测试结果显示,常温与高温时,失效的产品与正常的产品无差异,只是低温有读取失效。读取是去判别一个存储单元的状态是“1”还是“0”。最通用的方法是把存储单元的电流与一标准存储单元(Read Reference)的电流比较,如图5所示。此电流会被转化为电压值输出。当一个新的地址被输入

的测试结果显示,常温与高温时,失效的产品与正常的产品无差异,只是低温有读取失效。读取是去判别一个存储单元的状态是“1”还是“0”。最通用的方法是把存储单元的电流与一标准存储单元(Read Reference)的电流比较,如图5所示。此电流会被转化为电压值输出。当一个新的地址被输入,会生成一个内部的脉冲称为ATD(地址转换检测),该脉冲生成一个读取操作。43第27卷　　　　　　　　　　　　　高国陕:闪存的低温下低工作电压Vcc读取失效分析


本文编号：2907701