Pb（Zr,Ti）O 3 /（La,Sr）MnO 3 异质结铁电阻变行为的研究
发布时间：2021-11-13 01:46
铁电/半导体异质结由于在界面处存在晶格、电荷、轨道、自旋的相互耦合作用,拥有特殊的界面效应,能够展现出丰富独特的物理性质,在光伏、储能、信息存储领域中均表现出了优秀的应用前景。但是目前及铁电/半导体异质结的界面效应以及铁电与阻变行为之间的必然联系尚未完全清楚,限制了铁电阻变存储器的进一步发展。本硕士论文采用利用脉冲激光沉积法在掺铌的钛酸锶（Nb:SrTiO3,NSTO）半导体衬底上制备了高质量外延的锆钛酸铅（PbZr0.52Ti0.48O3,PZT）铁电薄膜,并在PZT与NSTO之间构造了不同厚度的镧锶锰氧（La0.67Sr0.33MnO3,LSMO）插层,进一步研究界面能带结构对铁电/半导体异质结铁电阻变行为的影响,以期实现阻变性能的有效调控,阐明了PZT/LSMO/NSTO异质结铁电阻变的微观机制。主要的研究内容和结论如下:在STO基板上制备了不同厚度的LSMO薄膜,用倒易空间图全面地分析了LSMO薄膜的应力状态,确定了LSMO薄膜的应力弛豫厚度为51 nm,并且确定了LSMO薄膜的生长速率为2.5 nm/min;在Nb:STO基板上制备了不同厚度的PZT薄膜,发现PZT/NSTO...
【文章来源】：沈阳工业大学辽宁省
【文章页数】：66 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
电介质材料分类及其相互关系
第1章绪论3义上的铁电畴的翻转[11]。铁电存储器（FerroelectricRandomAccessMemory,FRAM）就是通过改变外加电场的方向，利用铁电材料在外电场作用下剩余极化呈现的的两种不同状态分别代表存储器的“0”和“1”态，以此来存储信息[12-14]。图1.2铁电材料的电滞回线Fig.1.2HysteresisloopofferroelectricmaterialFRAM具有极快的读写速度，高存储密度，抗辐射性，耐高温性等优点[15]。铁电随机存取存储器具有能耗低、集成度高、关闭电源后数据不会消失等优点。但是，FRAM难以改善集成问题，过程污染严重以及兼容性问题，这需要继续研究和提出有效的解决方案。1.2.4阻变存储器阻变存储器（ResistiveRandomAccessMemory,RRAM）的基本结构如图1.3所示[16]。图1.3三明治结构示意图Fig.1.3Schematicdiagramofsandwichstructure
第1章绪论3义上的铁电畴的翻转[11]。铁电存储器（FerroelectricRandomAccessMemory,FRAM）就是通过改变外加电场的方向，利用铁电材料在外电场作用下剩余极化呈现的的两种不同状态分别代表存储器的“0”和“1”态，以此来存储信息[12-14]。图1.2铁电材料的电滞回线Fig.1.2HysteresisloopofferroelectricmaterialFRAM具有极快的读写速度，高存储密度，抗辐射性，耐高温性等优点[15]。铁电随机存取存储器具有能耗低、集成度高、关闭电源后数据不会消失等优点。但是，FRAM难以改善集成问题，过程污染严重以及兼容性问题，这需要继续研究和提出有效的解决方案。1.2.4阻变存储器阻变存储器（ResistiveRandomAccessMemory,RRAM）的基本结构如图1.3所示[16]。图1.3三明治结构示意图Fig.1.3Schematicdiagramofsandwichstructure
【参考文献】：
期刊论文
[1]外延膜的高分辨X射线衍射分析[J]. 李长记,邹敏杰,张磊,王元明,王甦程. 金属学报. 2020(01)
[2]基于非易失性存储器的存储系统技术研究进展[J]. 舒继武,陆游游,张佳程,郑纬民. 科技导报. 2016(14)
[3]Nd0.05Bi0.95FeO3极化诱导La0.7Sr0.3MnO3/Nb:SrTiO3异质结薄膜电阻变换效应[J]. 朱永丹,裴玲,李美亚. 武汉大学学报(理学版). 2015(02)
[4]基于相变存储器的存储技术研究综述[J]. 冒伟,刘景宁,童薇,冯丹,李铮,周文,张双武. 计算机学报. 2015(05)
[5]阻变存储器及其集成技术研究进展[J]. 左青云,刘明,龙世兵,王琴,胡媛,刘琦,张森,王艳,李颖弢. 微电子学. 2009(04)
[6]铁电薄膜及铁电存储器的研究进展[J]. 周益春,唐明华. 材料导报. 2009(09)
[7]铁电存储器工作原理和器件结构[J]. 马良. 电子与封装. 2008(08)
[8]外延薄膜X射线表征方法的新进展[J]. 杜晓松,杨邦朝. 功能材料. 2005(01)
本文编号：3492064
【文章来源】：沈阳工业大学辽宁省
【文章页数】：66 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
电介质材料分类及其相互关系
第1章绪论3义上的铁电畴的翻转[11]。铁电存储器（FerroelectricRandomAccessMemory,FRAM）就是通过改变外加电场的方向，利用铁电材料在外电场作用下剩余极化呈现的的两种不同状态分别代表存储器的“0”和“1”态，以此来存储信息[12-14]。图1.2铁电材料的电滞回线Fig.1.2HysteresisloopofferroelectricmaterialFRAM具有极快的读写速度，高存储密度，抗辐射性，耐高温性等优点[15]。铁电随机存取存储器具有能耗低、集成度高、关闭电源后数据不会消失等优点。但是，FRAM难以改善集成问题，过程污染严重以及兼容性问题，这需要继续研究和提出有效的解决方案。1.2.4阻变存储器阻变存储器（ResistiveRandomAccessMemory,RRAM）的基本结构如图1.3所示[16]。图1.3三明治结构示意图Fig.1.3Schematicdiagramofsandwichstructure
第1章绪论3义上的铁电畴的翻转[11]。铁电存储器（FerroelectricRandomAccessMemory,FRAM）就是通过改变外加电场的方向，利用铁电材料在外电场作用下剩余极化呈现的的两种不同状态分别代表存储器的“0”和“1”态，以此来存储信息[12-14]。图1.2铁电材料的电滞回线Fig.1.2HysteresisloopofferroelectricmaterialFRAM具有极快的读写速度，高存储密度，抗辐射性，耐高温性等优点[15]。铁电随机存取存储器具有能耗低、集成度高、关闭电源后数据不会消失等优点。但是，FRAM难以改善集成问题，过程污染严重以及兼容性问题，这需要继续研究和提出有效的解决方案。1.2.4阻变存储器阻变存储器（ResistiveRandomAccessMemory,RRAM）的基本结构如图1.3所示[16]。图1.3三明治结构示意图Fig.1.3Schematicdiagramofsandwichstructure
【参考文献】：
期刊论文
[1]外延膜的高分辨X射线衍射分析[J]. 李长记,邹敏杰,张磊,王元明,王甦程. 金属学报. 2020(01)
[2]基于非易失性存储器的存储系统技术研究进展[J]. 舒继武,陆游游,张佳程,郑纬民. 科技导报. 2016(14)
[3]Nd0.05Bi0.95FeO3极化诱导La0.7Sr0.3MnO3/Nb:SrTiO3异质结薄膜电阻变换效应[J]. 朱永丹,裴玲,李美亚. 武汉大学学报(理学版). 2015(02)
[4]基于相变存储器的存储技术研究综述[J]. 冒伟,刘景宁,童薇,冯丹,李铮,周文,张双武. 计算机学报. 2015(05)
[5]阻变存储器及其集成技术研究进展[J]. 左青云,刘明,龙世兵,王琴,胡媛,刘琦,张森,王艳,李颖弢. 微电子学. 2009(04)
[6]铁电薄膜及铁电存储器的研究进展[J]. 周益春,唐明华. 材料导报. 2009(09)
[7]铁电存储器工作原理和器件结构[J]. 马良. 电子与封装. 2008(08)
[8]外延薄膜X射线表征方法的新进展[J]. 杜晓松,杨邦朝. 功能材料. 2005(01)
本文编号：3492064
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