基于Flash的电子硬盘研究与设计

发布时间：2021-11-14 12:20

　　电子硬盘是一种利用非易失性电子类存储器作为存储介质的硬盘。电子硬盘采用IDE接口与主机系统相连。硬盘控制器作为硬盘方面的主控制芯片负责实现硬盘的功能,其设计主要是以FPGA芯片作为载体,对电子硬盘控制器的设计方法主要采用的是一种基于IP核的SOC（SYSTEM ON CHIP）的EDA设计方法。目前NOR和NAND是现市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel首先开发出NORFlash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,东芝公司发表了NAND Flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。与NOR Flash相比,NAND Flash虽然有众多优势,然而由于NAND Flash的地址、数据与指令共用一根总线,其操作的复杂性要远远大于NOR Flash。为了简化NAND Flash的操作,可以为NAND Flash设计一个控制器,为其添加一个无粘接接口（Glueless Interface）。本文重点介绍了NANDFlash,还介绍了一个NAND Flash控制器的设计过程,接上这个控制器就可以使外部产生类似SRA... 

【文章来源】：国防科技大学湖南省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】：82 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

NANDFlash结构图

图2.3输入寄存器页编程指令带有随机数据输入的编程指令。图中加亮的扇区显示，该指令只需要后面跟随着数据的2个字节的地址所有NAND操作开始时，都提供一个指令周期(见下表2.1)。总体而言，NAND的基本操作包括:复位(Reset，FFh)操作、读ID(ReadID，OOh)操作、读状态(ReadStatus，70h)操作、编程(Progr田刀，80h)操作、随机数据输入(R耐omdatai叩ut，85h)操作和读(Read)操作等。表2.1NAND的基本操作CCCor口rn即dddCorn们。andddNumberrrDataaaCommmValidddcccccyclelllofffcycleeem明dddduringggAAAAAAAddreSSSSRequireeecycleZZZbusyyycccccccyclellldlllllllPPPageReaddd00hhh555N00030hhhN000PPPageReadCacheModeStarttt3lhhhhhN00000N000PPPageReadCacheModeStarttt3FhhhhhN00000N000LLLISttttttttttttt

图2.5页读缓存模式2.6本章小结本章是对电子硬盘存储介质的研究，分析了NANDFlash和NORFlash等技术特点，并对出现的一些新技术如ORNAND和ONENAND做了简要介绍;对其作为电子硬盘存储介质的可行性作了论述，并以此为依据，选择NANDFlash作为电子硬盘存储介质。第19页

【参考文献】：
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本文编号：3494628