量子点阻变存储器件的制备及其性能研究

发布时间：2021-12-08 21:54

　　当前,最广泛使用的存储器是Flash闪存,但是目前Flash闪存面临着尺寸难以继续缩小的发展瓶颈。另一方面,随着网络技术、计算机技术以及各种大众消费类电子产品的发展,非易失存储器的需求越来越大。传统的存储器器件面临着存储密度低、加工成本高、器件制备工艺复杂等问题已经不能满足未来的发展需要。为了解决这个难题,科学家们对下一代非易失存储器进行了大量探索研究,包括磁存储器件、铁电存储器件、相变存储器件和阻变存储器件。而这其中,阻变存储器（RRAM）由于只需要在两端电极间施加一定的电压就可以实现电阻在高低阻态之间的转换,它与其他的非易失性存储器相互比较起来的话,阻变存储器具有非常大的优点,而且其尺寸有着继续缩小的潜力,同时在保持特性以及数据存储上都具有非常大的优势。并且与现有的CMOS工艺兼容性好,被普遍认为是最有希望成为下一代高密度非易失性存储器。RRAM器件的结构是典型的电极/材料/电极的三层结构。在金属氧化物、金属硫化物、有机物和钙钛矿氧化物等中均发现了电阻转变效应。按照阻变存储材料的维度可以分为,一维材料,二维材料和三维材料。相比较于高维度材料有很多特点。本课题采用量子点材料作为阻变器... 

【文章来源】：重庆大学重庆市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

共焦激光扫描显微镜下的GQDs标记的人类肺癌MCF-7细胞的图像（a）荧光图像（b）

重庆大学硕士学位论文 1 绪 论②石墨烯量子点的药物传送应用GQDs 也可以用来作为输送药物的载体，其表现出来了非常好的输送性能[92]。当 PH=7，负载抗癌药阿霉素浓度为 2.5mg/ml。透明质酸分子被瞄定到 GQDs 上，靶向运输到肿瘤细胞。③石墨烯量子点的传感器应用Wang 等人[93]报道了 GQDs 用于 Fe3+检测。如图 1.2，单纯的 GQDs 的荧光和加入了 Fe3+的 GQDs 荧光。从图中可以观察出，加入后，GQDs 荧光几乎完全猝灭。

重庆大学硕士学位论文 2 实验部分备用，并使样品一直处于搅拌中。将 19.5 毫克的硫粉和 200 微升的油胺混合放在小口瓶中，放在加热台上加热到 120 摄氏度；将 334.4 毫克的硬脂酸锌、800 微升的十八烯和 200 微升的油胺混合在一起放在小口瓶中并在加热台上加热到 120 摄氏度。先用注射器将 120 摄氏度的硫源注射到三颈瓶中，然后迅速将 120 摄氏度的锌源注射到三颈瓶中，然后在氮气环境中搅拌加热 5 分钟。5 分钟之后，用甲苯和无水乙醇反复离心、洗涤并提纯，最后得到纯净的 AgInZnS 量子点，制作流程如图 2.1 所示。

【参考文献】：
期刊论文
[1]Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices[J]. 李颖弢,龙世兵,吕杭炳,刘琦,王琴,王艳,张森,连文泰,刘肃,刘明.  Chinese Physics B. 2011(01)

博士论文
[1]二元过渡金属氧化物的阻变存储器研究[D]. 谢宏伟.兰州大学 2013
[2]基于二元金属氧化物的阻变存储器研究[D]. 王艳.兰州大学 2012



本文编号：3529308