Cu 12 Sb 4 S 13 量子点的光照增强阻变性能

发布时间：2021-12-31 08:57

　　采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu₁₂Sb₄S₁₃量子点（CAS QDs）,并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au（其中FTO为导电玻璃）的阻变存储器（RRAM）.在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.42 V的低工作电压和10⁵的高阻变开关比,并表现出优异的数据保持性和耐久性.在持续工作1.4×10⁶s和经过10⁴次快速读取后,器件阻变性能变化率小于0.1%.在光照和电场共同作用下,S^2-导电通道的形成与破坏和FTO/CAS QDs界面肖特基势垒高度的调制是FTO/CAS QDs/Au在高阻态与低阻态之间转变的原因. 

【文章来源】：高等学校化学学报. 2020,41(08)北大核心EISCICSCD

【文章页数】：9 页

【文章目录】：
1 实验部分
    1.1 试剂与仪器
    1.2 实验过程
2 结果与讨论
    2.1 CAS QDs的表征
    2.2 CAS QDs的光照增强阻变性能
    2.3 0-D CAS QDs的阻变机理
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]溶液法制备图案化量子点薄膜的研究进展[J]. 张敏,刘欢.  高等学校化学学报. 2020(03)
[2]液体石蜡体系中CdSeS三元量子点的制备及性能[J]. 张德龙,李万万,王解兵,孙康.  高等学校化学学报. 2012(07)



本文编号：3559976