高速低功耗双端口CMOS SRAM的设计

发布时间：2022-01-14 07:28

　　随着1947年晶体管在Bell实验室的发明,微电子技术发展异常迅速,目前已进入超大规模集成电路时代。在我国,作为信息产业基础的微电子技术,在生产和科研方面的速度已大大加快,已深入渗透到经济、生活的方方面面。从移动电话、图像处理、语音处理合成、电脑到数码相机等数字化产品,无不留有微电子技术的痕迹。静态存储器（SRAM）,作为数字化大家庭中的一员,近年来得到了长足的发展。它作为半导体存储器中不可缺的一类产品,在计算机,通信等高速速据交换系统中得到了广泛的应用。据资料显示,目前存储器市场要占整个半导体市场的35%,而静态存储器则占各种存储器总额的15%左右,并且随着技术的改进和工艺的进步,每年以10%的速度递增。因此静态随机存储器作为IC领域中极为重要的一部分,对其进行长期不懈的研究开发具有深远的意义。双端口静态存储器,它采用两套独立的地址、数据和控制总线,同时允许两个独立的实体（如两个处理器）对其进行存取,与单端口的存储器相比,双端口存储器的存取效率提高一倍。静态存储器的存取速度由地址输入到数据输出的关键路径决定。其中包括地址缓冲、译码器、存储单元、灵敏放大器和输出缓冲电路。其中存储单元是... 

【文章来源】：江南大学江苏省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：69 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

标准的SRAM6管单元

ATD电路

图2.2两级译码示意图

【参考文献】：
硕士论文
[1]SRAM灵敏放大器模块的HSPICE仿真与设计改进[D]. 杨洪艳.北京工业大学 2004
[2]Flash Memory中灵敏放大器的设计[D]. 王强.合肥工业大学 2004
[3]嵌入式128Kb SRAM的研究与设计[D]. 田虹.西北大学 2002
[4]嵌入式SRAM优化设计[D]. 王磊.电子科技大学 2003



本文编号：3588085