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室温NiFe/BaTiO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 多铁隧道结的制备与性能研究

发布时间:2022-01-25 16:30
  随着互联网的发展,大数据、云计算等的出现,我们已经来到一个信息爆炸的时代。据统计全球每年的数据存储量已经达到惊人的1021byte数量级,而且这一信息存储量每三年将增加一倍,于是人们对于存储器的存储容量有了更为苛刻的要求。一种名为多铁隧道结的新型多态存储器件逐渐走进人们的视野,以其高密度存储、较低功耗、电磁场可控等诸多优点而备受青睐,近几年来科学界对于多铁隧道结进行了大量的理论和实验研究,均取得了不错的成果,所以以多铁隧道结为单元的存储器件将有望取代传统的存储器件,具有非常广阔的应用前景。本文以NiFe/BaTiO3/La0.7Sr0.3MnO3多铁隧道结为研究对象。首先简单地介绍了多铁隧道结的背景和应用以及目前存在的主要问题。然后分别对铁磁层La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)和铁电层BaTiO3(BTO)作了重点研究。本文的主要研究工作如下:1、用NH4F和HF的混合溶液对需要生长外延薄膜的衬底材料SrT... 

【文章来源】:湘潭大学湖南省

【文章页数】:77 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

室温NiFe/BaTiO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 多铁隧道结的制备与性能研究


多铁体中相互作用示意图

原理图,自发极化,电滞回线,原理图


自发极化原理图及电滞回线图

原理图,压电效应,原理图,铁电材料


图 1.3 压电效应原理图[11]当然铁电材料还有很多的其他物理效应,表 1.1 列举了铁电材料根据物理效应的一些主要应用领域[12]。现有人们也已经发现数百种铁电材料。随着日益成熟

【参考文献】:
期刊论文
[1]多铁性磁电材料应用于存储技术的研究现状[J]. 施科,何泓材,王宁.  硅酸盐学报. 2011(11)
[2]SrTiO3在微电子器件中取代硅材料的前景[J]. 戴闻.  物理. 2005(05)
[3]铁电物理的近期发展[J]. 钟维烈.  物理. 1996(04)
[4]反射高能电子衍射的原理及其应用[J]. 曹青,叶志镇.  材料科学与工程. 1994(03)
[5]离子束刻蚀技术[J]. 谈治信.  真空与低温. 1993(02)



本文编号:3608869

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