Pt/TiO 2 /Nb:SrTiO 3 /Pt器件的记忆效应

发布时间：2022-02-05 01:53

　　本文以Pt/TiO₂/Nb:SrTiO₃/Pt为研究对象,研究了此种器件的阻变存储效应和容变存储效应.所研究的器件表现出明显的双极多态存储性能,同时也具备负电容的特性.在正、反向偏压的作用下,器件能够实现从导通状态到绝缘态或者其他程度的导通态的转变.不仅如此,该器件还表现出与初始状态关联的负电容特性.产生这些现象的原因可认为是氧空位在外加电场的驱动下移动造成的,从而使得器件的导电状态发生变化,同时也使得电荷变化滞后于电压的变化,产生了负电容现象. 

【文章来源】：天津理工大学学报. 2016,32(01)

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 Ti O2器件的制备
2 结果与讨论
3 结论



本文编号：3614345