兼备Sink/Source快速瞬态响应LDO的研究与设计

发布时间：2022-10-19 16:10

　　近年来存储器产业迅猛发展,随着输入电源电压的降低DDR存储器存储空间在逐渐增大,时钟频率以及数据传输速率也在加快,对SSTL接口协议的要求也越来越高。针对于DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3、DDR4等存储器电源应用的场合,需要带负载能力强、输出精度高、瞬态响应特性好以及能够灌/拉负载的电源供电。电源管理芯片中,LDO线性稳压器输出纹波小、响应速度快、输出精度高,结构简单成本低等优点,成为DDR存储器供电的首选芯片。本文设计了一款兼备Sink/Source快速瞬态响应的LDO线性稳压器芯片—XD1997,该芯片采用双电源电压供电,内部输入电压可低至2.5V;需要一个20μF的输出电容来实现快速瞬态响应速度;输出级上下功率管是NMOS推挽式输出,可以实现Sink/Source 3A负载。所设计的误差放大器采用对称形式的OTA结构,多路电流镜结构使误差放大器输出成为低阻抗结点并且该极点位于高频,高输出摆率提高了LDO的瞬态响应速度,大的G_m增大了LDO增益以及带宽,整个系统是一个G_m驱动的单极点系统,此外设计了静态电流控制电路,... 

【文章页数】：110 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

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【参考文献】：
期刊论文
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[2]一种低功耗、高稳定性的无片外电容线性稳压器[J]. 宁志华,何乐年,刘磊,马德.  电路与系统学报. 2009(02)
[3]低压降CMOS稳压器的电源噪声抑制分析[J]. 胡建赟,何艳,黄晨灵,闵昊.  微电子学. 2006(06)
[4]从电力电子到电源管理[J]. 张为佐.  机械制造与自动化. 2004(06)

博士论文
[1]低功耗快速响应的片上集成LDO研究[D]. 屈熹.电子科技大学 2014
[2]集成稳压电路系统鲁棒性与快速响应研究[D]. 李演明.西安电子科技大学 2009

硕士论文
[1]高PSRR无电容型线性稳压器的研究与设计[D]. 康瑞.西安电子科技大学 2018
[2]低压瞬态增强无片外电容LDO线性稳压器的研究与设计[D]. 董祖奇.西安电子科技大学 2017
[3]无片外电容瞬态增强的负压线性稳压器XD1791的设计[D]. 刘茜.西安电子科技大学 2014
[4]具有快速负载瞬态响应LDO设计[D]. 谭林.电子科技大学 2013
[5]兼备Sink和Source型大电流线性稳压器的设计[D]. 黄冲.西安电子科技大学 2013
[6]大负载超快速负载瞬态响应低漏失CMOS线性稳压器[D]. 李庆委.西安电子科技大学 2011
[7]DDR SDRAM物理层的SSTL接口电路设计[D]. 张海良.哈尔滨工业大学 2010
[8]LDO线性稳压器的研究与设计[D]. 李中伟.西北大学 2009
[9]无片外电容CMOS低压差稳压器的设计[D]. 王帅.吉林大学 2008
[10]基于动态零点补偿的低压降线性稳压芯片的研究与设计[D]. 王进军.西北大学 2007



本文编号：3693681