快速热退火对Pt/Dy 2 O 3 /Pt阻变特性的影响

发布时间：2023-03-28 23:55

　　采用磁控溅射在Si/SiO₂衬底上制备了Pt/Dy₂O₃/Pt阻变器件(RRAM),研究并分析了快速热退火对Pt/Dy₂O₃/Pt器件阻变特性的影响。通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)研究了快速热退火对Dy₂O₃薄膜表面形貌、薄膜结构和Dy、O化学价态的影响。通过对不同退火条件下Pt/Dy₂O₃/Pt器件的电学特性测试,研究了不同退火温度对器件阻变特性的影响。实验结果表明,退火增加了Pt/Dy₂O₃/Pt器件初始电阻值,增大了器件的开关比(R_off/R_on);降低了器件的操作电压提高了器件电阻转变一致性。XPS分析表明退火后薄膜表面氧含量升高,表面氧含量变化为非晶格氧含量的增加。能谱(EDS)扫描结果表明退火后Dy₂O₃

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【文章目录】：
1 实验
    1.1 样品制备
    1.2 测试分析
2 结果与讨论
3 结论



本文编号：3773553