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存储器故障与可靠性试验研究

发布时间:2017-05-19 08:19

  本文关键词:存储器故障与可靠性试验研究,由笔耕文化传播整理发布。


【摘要】:存储器因其优良的性能,现在已经大规模地应用于数据处理、移动通信、嵌入式系统和智能设备等高新现代技术产业之中。存储器容量由八十年代的几KB,到如今的几个TB;尤其是最近几年,存储器的容量扩展的趋势更加之大;如今的存储器功能丰富,应用于各种高新技术之中,极大丰富了电子产品功能能。存储器存取速度速度、容量、功能在发生巨大变化,这些优质的存储器发展对其测试验证无疑提出了更高的要求。这些高性能的存储器容量大,存储单元密度增加而带来的单元之间干扰性概率增大,对存储器的可靠性保证提出了更高的要求。本文首先分析了国内外存储器发展状况以及集成电路测试系统,研究NAND闪存存储器的测试技术和半导体存储器故障模型,分析存储器全“1”、全“0”图形测试算法和奇偶图形检测方法,并在齐步图形的基础上优化而提出两者结合的齐步-走步测试算法。文中试验部分采用ATE测试系统对目标芯片NAND闪存进行AC\DC参数测试和功能测试,文中最后介绍了集成电路可靠性分析技术,以及结合试验数据对存储器耐久性可靠性进行分析,研究了存储器擦除对扇区可靠性的影响,以及在读写应力条件下,存储单元阈值点电压分布。文章通过对存储器工作原理分析,测试NAND Flash存储器DC/AC参数,同时提出改进了的齐步-走步图形算法,全覆盖测试存储单元,并优化了NAND为存存储器的可靠性技术,在测试数据的基础上研究电压应力条件与存储单元之间可靠性关系。
【关键词】:集成电路 存储器 闪存测试 图形算法 故障模型 可靠性
【学位授予单位】:广东工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TP333
【目录】:
  • 摘要4-5
  • Abstract5-10
  • 第一章 绪论10-18
  • 1.1 课题背景10-11
  • 1.2 国内外发展情况11-13
  • 1.3 集成电路测试系统发展概况13-15
  • 1.4 课题研究意义15-16
  • 1.5 论文结构16-18
  • 第二章 半导体存储器测试原理18-34
  • 2.1 存储器的结构和工作原理18-26
  • 2.1.1 只读型存储器18-21
  • 2.1.2 随机存储器21-26
  • 2.2 存储器的失效机理和故障模式26-28
  • 2.2.1 失效机理26
  • 2.2.2 故障模式26-28
  • 2.3 存储器的故障模型及验证方法28-33
  • 2.3.1 存储器主要故障类型29
  • 2.3.2 存储器故障模型分析29-33
  • 2.4 本章小结33-34
  • 第三章 存储器测试方法研究34-43
  • 3.1 图形算法在存储器测试中的作用34-35
  • 3.2 测试图形特征分析35-38
  • 3.2.1 地址和数据35
  • 3.2.2 背景图形和前景图形35-36
  • 3.2.3 主检单元T和干扰单元D36-37
  • 3.2.4 地址序列37-38
  • 3.3 测试图形分析38-42
  • 3.3.1 全“0”和全“1”图形38-39
  • 3.3.2 奇偶图形39-40
  • 3.3.3 齐步图形40-42
  • 3.4 本章小结42-43
  • 第四章 存储器测试环境与测试器件43-51
  • 4.1 测试平台43-47
  • 4.2 测试目标器件47-50
  • 4.2.1 存储器概况47-49
  • 4.2.2 NAND存储单元49-50
  • 4.3 本章小结50-51
  • 第五章 存储器测试实现及其可靠性分析51-62
  • 5.1 存储器测试实现51-57
  • 5.1.1 存储器参数测试52-53
  • 5.1.2 DC参数测试53-54
  • 5.1.3 AC参数测试54-57
  • 5.2 存储器可靠性分析57-61
  • 5.2.1 可靠性理论分析57-58
  • 5.2.2 测试结果分析58-61
  • 5.3 本章小结61-62
  • 结论与展望62-63
  • 参考文献63-66
  • 致谢66

【参考文献】

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本文编号:378182

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