Flash存储器总剂量效应研究

发布时间：2017-05-24 18:31

  本文关键词：Flash存储器总剂量效应研究，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：Flash存储器具有高速度、大容量、非易失性和高可靠性等特点，近年来已经逐步应用于航天电子系统中，空间中的各种高能粒子会对包括Flash的各种电子元器件造成严重的影响，引起各种辐射效应，总剂量效应是Flash存储器在空间应用中需要面对的最重要的问题之一，因此对Flash存储器的总剂量效应研究具有十分重要的意义。 本文从总剂量效应在MOS器件中的产生机理出发，首先分析了总剂量效应对MOS器件电参数和性能的影响。接着结合NOR型Flash存储器的内部各模块的电路结构和浮栅单元的工作原理研究其总剂量敏感单元和敏感参数，分析得出电荷泵和存储单元是NOR型Flash敏感单元的结论。在调研国内外辐射试验标准和相关文献的基础上，制订总剂量试验方案，开发设计出一套针对AM29LV160D芯片的总剂量效应试验系统。在总剂量试验中，动态偏置的芯片最先失效，，芯片的擦除时间在试验中严重退化且编程功能总是先于擦除功能失效。试验结果证明电荷泵是Flash存储器的总剂量试验中最敏感的单元，存储单元中辐射诱发的两种陷阱电荷的不同可能是导致芯片编程和擦除功能先后失效的重要原因，开启电荷泵的动态偏置是Flash存储器总剂量试验的最劣偏置。
【关键词】：Flash存储器 总剂量效应 敏感性分析 电荷泵 动态偏置
【学位授予单位】：西安电子科技大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2014
【分类号】：TP333
【目录】：

• 摘要3-4
• Abstract4-7
• 第一章 绪论7-15
• 1.1 研究背景7-10
• 1.1.1 Flash 存储器的发展现状和应用需求7-8
• 1.1.2 空间辐射环境中的辐射效应8-10
• 1.2 总剂量效应研究现状10-12
• 1.3 论文的主要工作及组织结构12-15
• 第二章 总剂量效应分析15-25
• 2.1 MOS 器件总剂量效应产生机理15-17
• 2.1.1 氧化层陷阱电荷16-17
• 2.1.2 界面态陷阱电荷17
• 2.2 总剂量效应对 MOS 器件的影响17-21
• 2.2.1 阈值电压漂移18-19
• 2.2.2 辐射导致的漏电流19-20
• 2.2.3 跨导退化20-21
• 2.3 总剂量效应影响因素分析21-23
• 2.4 本章小结23-25
• 第三章 Flash 存储器总剂量敏感性研究25-41
• 3.1 Flash 存储器工作原理和组成结构25-29
• 3.1.1 浮栅单元工作原理和操作25-27
• 3.1.2 Flash 存储器的架构27-29
• 3.2 Flash 存储器内部各模块的总剂量敏感性分析29-38
• 3.2.1 Flash 存储器的结构组成29-30
• 3.2.2 Flash 的存储阵列及其总剂量敏感性分析30-32
• 3.2.3 Flash 外围电路中电荷泵及其总剂量敏感性分析32-36
• 3.2.4 Flash 外围电路其他部分的敏感性分析36-38
• 3.3 AM29LV160D 存储器的辐射敏感性38-40
• 3.3.1 AM29LV160D 芯片介绍38-39
• 3.3.2 AM29LV160D 存储器的总剂量敏感性分析39-40
• 3.4 本章小结40-41
• 第四章 Flash 存储器总剂量试验及结果分析41-57
• 4.1 AM29LV160D 器件总剂量效应试验方案41-44
• 4.1.1 试验偏置方案41-43
• 4.1.2 剂量率和退火的选择43-44
• 4.2 AM29LV160D 总剂量效应试验系统介绍44-50
• 4.2.1 测试系统硬件介绍45-47
• 4.2.2 测试系统软件介绍47-50
• 4.3 AM29LV160D 器件总剂量效应试验程序50-51
• 4.4 AM29LV160D 总剂量效应试验结果和分析51-55
• 4.4.1 试验结果51-54
• 4.4.2 结果讨论54-55
• 4.5 本章小结55-57
• 第五章 总结与展望57-59
• 致谢59-61
• 参考文献61-64

【共引文献】

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本文编号：391651