基于有机/无机杂化钙钛矿(MAPbI 3 )薄膜电双稳器件的研究

发布时间：2024-04-09 05:43

　　随着信息时代的到来,高性能存储器件受到了越来越多的关注,人们不断寻找新的材料来制备性能优良的存储器件。近几年来,一种新型的有机/无机杂化钙钛矿材料,因其结晶度好、迁移率大等优点,在光电子领域受到越来越多的关注。本论文主要围绕有机/无机杂化钙钛矿(MAPbI3)开展了有机电双稳器件的研究,主要工作内容如下:(1)聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)因其良好的透光性与导电性被广泛的应用到光电器件的研究中,本工作将PEDOT:PSS与钙钛矿相结合,制备新型电双稳存储器件,并研究其电双稳特性。首先,采用一步法(one-step)制备了钙钛矿薄膜并对其形貌进行了表征。通过溶液旋涂法在玻璃衬底上制备结构为 ITO/PEDOT:PSS/MAPbI3/Metal(Cu/Au/Ag/Al)的器件,并对器件的电双稳特性进行了测试。通过对比不同金属电极器件的性能,发现不同金属电极的双稳器件工作电压不同,但都具有一定的双稳特性,其中,以铝、铜作为电极的双稳器件稳定性较好,最大开关比均可达到103。最终,通过对器件Ⅰ-Ⅴ进行了线性拟合,探究了器件在不同阶段电荷传输的机制,分析了器件电双稳...

【文章页数】：63 页

【学位级别】：硕士

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致谢
摘要
ABSTRACT
1 序言
    1.1 有机电双稳器件研究背景
    1.2 电双稳器件的基本介绍
    1.3 有机电双稳态器件的工作机制
    1.4 有机电双稳器件/材料体系
        1.4.1 有机金属配合物材料体系
        1.4.2 有机/无机纳米杂化体系
        1.4.3 聚合物结合小分子体系
        1.4.4 有机/无机杂化钙钛矿体系
    1.5 本论文工作和意义
2 基于钙钛矿(MAPbI₃)薄膜电双稳器件的制备与研究
    2.1 引言
    2.2 制备过程使用的化学试剂
    2.3 钙钛矿(MAPbI₃)电双稳器件制备过程
    2.4 钙钛矿电双稳器件不同电极性能探究
        2.4.1 Ag电极[电双稳器件Ⅰ-Ⅴ曲线
        2.4.2 Au电极电双稳器件Ⅰ-Ⅴ曲线
        2.4.3 Al电极电双稳器件Ⅰ-Ⅴ曲线
        2.4.4 Cu电极电双稳器件Ⅰ-Ⅴ曲线
    2.5 稳定性结果表征
    2.6 Ⅰ-Ⅴ曲线线性拟合以及结果分析
    2.7 本章小结
3 基于PMMA:MAPbI₃电双稳器件的制备与研究
    3.1 引言
    3.2 基于PMMA:MAPbI₃体系的电双稳器件的制备与表征
        3.2.1 制备过程使用的化学试剂
        3.2.2 共混薄膜器件实验制备过程
    3.3 基于PMMA:MAPbI₃的电双稳态器件的研究
        3.3.1 不同浓度PMMA对器件ITO/PMMA:MAPbI₃/Al的性能影响
        3.3.2 器件ITO/MAPbI₃/Al的Ⅰ-Ⅴ曲线
        3.3.3 双层器件制备以及双稳性能表征
        3.3.4 器件ITO/PMMA:MAPbI₃/Al稳定性结果表征
    3.4 ITO/PMMA:M APbI₃/Al机理讨论与曲线拟合
    3.5 本章小结
4 结论与展望
参考文献
作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果
学位论文数据集



本文编号：3949406