新型嵌入式存储器内的重要模块研究

发布时间：2024-05-27 01:17

　　近年来,物联网概念被提出并且得到迅速推广。这既得益于经济社会日益发展为其提供了广阔的发展空间,更主要的是微电子集成电路技术的快速发展为其提供了有效的技术支持。然而,物联网的发展也对集成电路的性能提出了更高的要求,特别是在嵌入式存储领域。传统的嵌入式存储器在按比例缩小、存储单元尺寸、速度、功耗和芯片面积等方面越来越难以适应物联网的发展需求。 新一代嵌入式存储器的研究方向归纳起来主要分为两类：嵌入式非挥发存储器和嵌入式挥发性存储器,嵌入式非挥发存储器又分为高速和低功耗两个应用方向。这几类存储器分别针对了不同的应用场合,且均有很强的应用前景。 对于新兴的新型存储器的研究,一方面主要是对于存储单元,存储结构和存储介质的研发和改进,另一方面,则是对应于不同的工作条件和存储特性,设计符合实际应用需求的存储器工作电路,在实现基本读写功能的基础上进一步实现存储器的高速、低功耗、高密度等特性。 本论文以嵌入式存储的电路设计为中心思想,针对实验室内部现阶段研究的存储方向,提出了三套电源方案,分别适用于高速阻变存储器,低功耗阻变存储器以及嵌入式动态存储器。除此之外,对于嵌入式动态存储器的高速需求,本论文设计...

【文章页数】：84 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图1.1—嵌入式存储器在SOC中所占面积的比重l’】图1.1中可以看到，嵌入式存储器在SOC的面积比重逐年增加，由1999年平均20%的芯片面积上升到2007年60一70%乃至2014年的90%的面积

199920022005200820112014图1.1—嵌入式存储器在SOC中所占面积的比重l’】图1.1中可以看到，嵌入式存储器在SOC的面积比重逐年增加，由1999年平均20%的芯片面积上升到2007年60一70%乃至2014年的90%的面积。由此可见，嵌入式存储器性能的优....

图2.1阻变存储器的结构和I一V特性曲线

VO找age汉)图2.1阻变存储器的结构和I一V特性曲线图2.1显示了采用基于CuxO的阻变存储器的I一V特性曲线，通过采用电压扫描的办法，先正向从OV扫描到4V，再负向从OV扫掐到一1.5V，这里的对最大电流的限流则由选通Mos管的栅电压vg决定。首先观察从ov一4v开始扫描时....

图2.3RRAM疲劳特性151

图2.2RRA五4。n态和。ff态电流分布151图2.3RRAM疲劳特性151最基本的阻变存储器的存储单元由一个选通晶体管和一个存储电阻组成的ITIR结构，如图2.4所示。选通管的漏端和存储电阻的一端相连接，存储电阻的另一端连到位线(bit一hne)上，选通管的栅端连接到字线(w....

图2.5高速阻变存储器内的模块框架设计

}图2.5高速阻变存储器内的模块框架设计如图2.5所示，整个设计由几大重要模块组成:1.存储阵列:有众多的存储单元行列排列而成，为不同存储器的主要差异所在。这部分的具体工艺和存储单元结构的设计决定了整个芯片的关键性能和总体面积。11

本文编号：3982566