多层HfO 2 /Al 2 O 3 薄膜基电荷陷阱存储器件的存储特性研究

发布时间：2025-01-05 21:21

　　 借助脉冲激光沉积和原子层沉积系统,采用SiO2作为隧穿氧化物,Al2O3作为阻挡氧化物,制备了多层HfO2/Al2O3薄膜基电荷陷阱存储器件。实验发现,当电极偏压为±12 V时,存储窗口达到7.1 V,电荷存储密度约为2.5×1013cm-2。HfO2/Al2O3之间的界面在电荷存储过程中起着关键的作用,更多的电荷存储在界面的陷阱之上。经过3.6×104s的保持时间,25,85和150℃测试温度下,器件的电荷损失量分别为5%,12%和23.5%。线性外推实验数据得到,150℃下,经过10年的电荷损失量约为42%。器件优异的保持性能主要归因于HfO2/Al2O3薄膜之间较大的导带补偿。由此可以看出,多层HfO2/Al2O3薄膜基电荷陷阱存储器件是一种极具应用前景的电荷存储结构。

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【文章目录】：
1 器件的制备与测试分析
    1.1 陶瓷靶材的制备
    1.2 电荷存储器件的制备
    1.3 器件的微观结构表征和电学性能分析
2 结果分析
    2.1 器件的微观结构
    2.2 器件的电荷存储窗口测试
    2.3 器件保持性能测试
    2.4 器件的能带排列分析
3 结论



本文编号：4023284