延长相变存储器寿命的写操作Cache及其调度策略
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【摘要】:相变存储器具有可扩展性好、单元尺寸小、静态功耗低等优点,是替代DRAM做主存的候选器件之一,但其可重复写入的次数有限。提出了一种基于DRAM写操作Cache的相变存储器主存结构,包括存储器控制器、读/写操作数据通路和标志域查找等。同时还提出了相应的调度策略,包括整体的读写调度以及基于写操作频率的替换策略等。仿真结果显示,所提出的方法可将相变存储器的寿命平均延长50%以上,同时使平均仿存延迟降低35%以上。
【作者单位】: 西北工业大学计算机学院;中航工业西安航空计算技术研究所;
【关键词】: 相变存储器 寿命 控制器 可扩展性 DRAM写操作Cache 调度 替换策略 访问延迟
【基金】:国家自然科学基金(61472322) 中央高校基本科研业务费专项资金(3102014JSJ0001、3102015BJ(Ⅱ)ZS018)资助
【分类号】:TP333
【正文快照】: 超大规模计算对内存的需求量将是目前容量的1 000倍以上[1],但DRAM特征尺寸的缩小也变得越来越困难。原因是在缩小DRAM特征尺寸时,为了保证电荷的保持时间,电容值必须达到25 f F,致使电容的物理结构变得极不对称,特别当特征尺寸达到20 nm时,电容的高度与底面直径的比值将超过1
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