阳离子迁移型阻变存储材料与器件研究进展

发布时间：2017-06-29 06:10

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【摘要】：硅基闪存是当前半导体市场的主流非易失性存储器,但其小型化日益接近物理极限.阳离子迁移型阻变存储器是下一代高速、高密度和低功耗非易失性存储器的有力竞争者之一,近些年受到科学界和工业界的广泛关注.本文从材料、阻变机理和器件性能3个方面综述了阳离子迁移型阻变存储器的研究进展,其中材料部分包括电极材料和存储介质,阻变机理部分包括金属导电细丝的存在、生长模式和生长动力学,而器件性能部分包括开关比、擦写速度、擦写功耗、循环耐受性、数据保持特性以及器件小型化潜力.最后,对本领域的未来研究重点进行了展望.
【作者单位】： 先进材料教育部重点实验室(清华大学);清华大学材料学院;
【关键词】： 阻变存储器 阳离子迁移 氧化还原反应 金属导电细丝 非易失性存储器
【基金】：国家高技术研究发展计划资助项目(2014AA032901) 国家自然科学基金重点项目(51231004)
【分类号】：TP333
【正文快照】： 当前,基于硅材料的闪存(Flash memory)由于具有非易失性、高密度和低功耗等优点而占据了二级存储器的主流市场.但是,由于漏电流效应会随着器件尺寸的减小而急剧增大,基于电荷捕获机理工作的Flash存储器即将达到其小型化极限.为了突破Flash存储器所面临的小型化极限,同时也为了

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本文编号：496830