基于CNFET的单端口三值SRAM单元设计

发布时间：2017-07-05 13:03

  本文关键词：基于CNFET的单端口三值SRAM单元设计

  更多相关文章： 碳纳米场效应晶体管 单端口 三值SRAM 多值逻辑

【摘要】：通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和多值存储原理的研究,提出一种基于CNFET的单端口三值SRAM设计方案。该方案首先利用碳纳米管的多阈值特性设计三值反相器,并采用交叉耦合方式实现三值数据的存储;其次结合读写共用的单端口方法,减少互连线数量;然后采用隔离和切断交叉耦合技术,增强三值数据存储的稳定性;最后通过HSPICE仿真,结果表明所设计的电路逻辑功能正确,且与传统CMOS设计的三值SRAM相比读写速度提高24%。
【作者单位】： 宁波大学电路与系统研究所;
【关键词】： 碳纳米场效应晶体管 单端口 三值SRAM 多值逻辑
【基金】：国家星火计划项目(2014GA701019) 国家自然科学基金(61234002) 浙江省自然科学基金(Z1111219)
【分类号】：TP333
【正文快照】： 0引言随着CMOS工艺和集成电路技术的发展,电路的微型化给人们的生活带来极大的方便,同时对高集成度和低功耗等特性提出更高的要求。特别是高集成度问题,由于特征尺寸缩小使得单位芯片面积上集成的元件数目急剧增加,集成电路的特征尺寸已经进入纳米量级。在超大规模集成电路(Ve，

本文编号：522039