Flash存储器并行耐久测试方法

发布时间：2017-07-06 01:10

  本文关键词：Flash存储器并行耐久测试方法

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【摘要】：传统闪存(Flash)芯片耐久测试需要对整块芯片按扇区串行进行擦写测试,测试时间长、效率低、成本高,不利于其批量耐久测试和产业化发展。该文基于"资源换速度"的思想提出一种高效的Flash存储器并行耐久测试方法,通过对多片Flash芯片并行进行擦写测试,对不同芯片擦写不同扇区来提升其耐久测试效率,并进一步对耐久测试Flash芯片的不同扇区等效性进行分析,对等效性需要满足的条件和要求进行探讨。实验结果表明:并行耐久测试能有效缩短测试时间,其效率提升程度与并行测试的芯片数量成正比,加速测试结果与理论曲线符合较好。
【作者单位】： 工业和信息化部电子第五研究所;
【关键词】： 闪存 存储寿命 耐久测试 扇区等效性 并行测试
【分类号】：TP333
【正文快照】： 0引言随着移动存储技术的快速发展和移动存储市场的不断扩大,Flash存储器的市场需求快速增长[1]。由于具有低成本、高密度、掉电不丢失、便携、可靠等优点,其在移动产品中获得了广泛的应用[2-3]。随着大规模集成电路工艺的进步,Flash存储器的质量可靠性成为影响其大量应用的关

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本文编号：524235