基于ARM的大容量NAND FLASH应用

发布时间：2017-07-19 01:22

  本文关键词：基于ARM的大容量NAND FLASH应用

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【摘要】：针对基于ARM的大容量NAND FLASH应用中的问题进行研究,发现ARM的可变静态存储控制器模块只有2个NAND FLAS H片选引脚,无法直接提供大容量NAND FLAS H所需的4个片选信号;NAND FLAS H存储以页为单位,对于不足1页的数据无法进行存储。通过对ARM的引脚复用功能和NAND FLAS H的工作特点进行研究,提出了自定义NAND FLAS H片选信号解决片选不足,通过对数据进行填充解决不足1页的数据无法存储的问题。最终通过实验进行验证,保证了基于ARM的大容量NAND FLASH可以充分有效的应用。
【作者单位】： 南京理工大学瞬态物理国家重点实验室;
【关键词】： ARM处理器 片选 大容量存储 NAND闪存
【分类号】：TP333
【正文快照】： 作为主流的存储器之一,NAND FLASH以其存储速度快、可靠性高、体积小、质量轻、功耗低、适应各种工作环境等特点,广泛应用于各类存储设备[1]。在处理器中,ARM具有高性能、低功耗、低价格等特点,占有很大的市场份额。随着信息行业的发展,各类信息的数据量越来越大,为了满足信息

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 任萍;嵌入式NAND Flash稳步起飞[J];电子与电脑;2005年05期

2 马丰玺;杨斌;卫洪春;;非易失存储器NAND Flash及其在嵌入式系统中的应用[J];计算机技术与发展;2007年01期

3 蔡浩;;一种NAND FLASH自启动的新方法[J];现代电子技术;2007年08期

4 文q，

本文编号：560662