长寿命星载NAND Flash自适应坏块管理策略

发布时间：2017-08-01 12:20

  本文关键词：长寿命星载NAND Flash自适应坏块管理策略

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【摘要】：针对长期在轨运行设备的存储可靠性问题,提出了一种自适应坏块管理策略。首先对星载NAND Flash存储系统建立马尔可夫可靠性模型,其次根据使用情况预估设备产生的坏块数量,并设置数据存储空间的大小;然后根据设备实际在轨坏块数量动态调整数据存储空间,在确保一定时间内有稳定的存储空间的基础上保持较高的空间利用率;最后对自适应坏块管理策略进行了仿真分析。结果表明,在某一写入速率下,该自适应坏块管理策略的空间利用率不低于85%。
【作者单位】： 中国科学院光电研究院;中国科学院大学;
【关键词】： 星载存储器 NAND Flash 自适应 坏块管理 马尔可夫
【分类号】：TP333
【正文快照】： 1　引言NAND　Flash由于拥有高存储密度、低功耗、低成本、高数据吞吐量等优点而广泛用作大容量存储器件[1]。为保证存储数据的可靠性,使用时必须考虑坏块的处理方法。文献[2]提出跳过坏块法,即构建映射表的逻辑地址和物理地址一一对应。文献[3,4]提出映射表只存储标志为好块

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本文编号：604212