锡石表面电子结构及羟基化第一性原理计算

发布时间：2017-10-09 04:01

  本文关键词：锡石表面电子结构及羟基化第一性原理计算

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【摘要】：基于密度泛函理论,采用Materials Studio 7.0软件进行了锡石{100}、{110}、{101}解理面的电子结构及表面能的第一性原理计算,并以此为基础进一步研究了氢氧根离子在锡石{100}表面上吸附的羟基化影响。计算结果表明:与{101}面相比,{100}面和{110}面具有更低的表面能,是锡石最常见的解理面;氢氧根离子主要通过带负电的氧原子与表面上五配位的锡原子发生键合形成吸附,这种具有悬挂键的锡原子是锡石表面的活性位点。理论模拟计算能为新型锡石捕收剂的开发提供指导。
【作者单位】： 东北大学资源与土木工程学院;北京矿冶研究总院;矿物加工科学与技术国家重点实验室;中国五矿集团总公司;
【关键词】： 锡石 第一性原理计算 表面能 氢氧根
【基金】：国家高技术研究发展计划(863计划)项目(编号:2013AA064102)
【分类号】：TD952
【正文快照】： 3.矿物加工科学与技术国家重点实验室,北京102628;4.中国五矿集团总公司,北京100044)锡石是锡金属的最重要来源,其以稳定的SnO2形式存在于矿石中。由于锡石矿物密度大,在选矿技术发展初期基本都采用重选法富集锡石。然而,随着锡石开发利用历史的延长、开发技术的进步和人类对

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