TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究

发布时间：2018-08-25 15:38

【摘要】：对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44%;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同。
[Abstract]:A new annealing free process of indium tin oxide (ITO) layer for TFT-LCD devices was studied. By synchronizing the phase transition of indium tin oxide with the curing process of polyimide (PI) film, the process was simplified and the production cost was saved. The average resistance and transmittance of indium tin oxide film by non-annealing process are basically the same as those of traditional high temperature annealing process, and the low resistance value and high transmittance can be achieved. Without annealing, the surface of PI film is flat and uniform, the interface between indium tin oxide film and PI film is good, there is no bulge, no spot, and no reaction product is formed. The results of TFT test show that the annealing process is better than that of high temperature annealing process. There is no significant difference between the open current and the light state, and the leakage current can be reduced by 44%, and the V-T characteristics of the liquid crystal display screen prepared by the non-annealing process and the traditional high temperature annealing process are the same.
【作者单位】： 北京京东方光电科技有限公司;
【分类号】：TN873.93

【参考文献】

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1 晏峰,张自立;高分辨率LCD控制板的设计与实现[J];计算机与数字工程;2002年04期

2 王玉如;液晶显示技术的最新进展[J];现代电子技术;2004年22期

3 王文文;王峥;郝维昌;;离子注入对ITO薄膜电学特性的影响(英文)[J];液晶与显示;2009年02期

4 孙杨;张永栋;朱燕林;;单层ITO多点电容触摸屏的设计[J];液晶与显示;2010年04期

5 刘翔;薛建设;周伟峰;戴天明;郝照慧;杨静;宁策;张学辉;孙冰;;改善沉积氮化硅薄膜对FFS-TFT透明电极ITO影响的研究[J];真空科学与技术学报;2012年01期

6 李田生;谢振宇;张文余;阎长江;徐少颖;陈旭;闵泰烨;苏顺康;;钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究[J];液晶与显示;2012年04期

【共引文献】

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2 李钧;;一种新型红外多点触摸识别算法[J];计算机与现代化;2012年09期

3 王永;孙可;谢莉;孙士祥;;TFT-LCD阵列穿透率提升的研究[J];现代显示;2011年09期

4 高丽雯;俞红伟;王春锋;;浅析电容屏单层ITO方案[J];现代显示;2012年04期

5 李兵兵;黄子强;;电容式多点触摸屏的器件设计及算法实现[J];液晶与显示;2011年02期

6 钟云飞;陈乾坤;;彩色LCD显示器色彩特性研究[J];湖南工业大学学报(自然科学版);2008年01期

7 刘秋菊;王树森;段其昌;;基于嵌入式的电容触摸屏接口设计[J];微电子学与计算机;2012年06期

8 姜晓辉;张家祥;王亮;郭建;沈奇雨;曲连杰;张文余;田宗民;阎长江;;FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究[J];液晶与显示;2013年02期

9 程松华;刘杰;吴韦建;张永栋;李曙新;;一种非规则TFT-LCD的设计及其时序控制的FPGA实现[J];液晶与显示;2013年05期

10 田宗民;陈旭;张金中;张文余;谢振宇;郭建;姜晓辉;闵泰烨;;栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究[J];真空科学与技术学报;2014年01期

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2 张秋云;手机网页浏览器中触摸手势的应用研究[D];上海交通大学;2011年

3 郑志华;大屏幕激光显示系统信息处理技术研究[D];中北大学;2006年

4 汪翼;LCD控制器IP设计研究[D];浙江大学;2006年

5 刘艳;大屏幕激光扫描显示系统混色与光强调制技术研究[D];中北大学;2007年

6 庄晓薇;背光源系统均匀导光与亮度增强的方法研究[D];天津大学;2007年

7 李保安;导光板微结构型式的设计与模拟验证[D];天津大学;2008年

8 马若玉;液晶导光板改进设计与扩展应用[D];天津大学;2009年

9 黄矫燕;图像激光动画显示系统研究[D];北京化工大学;2010年

10 魏欣星;基于工业以太网的煤矿矿井数据显示系统研制[D];北京交通大学;2012年

【二级参考文献】

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1 李新贝;张方辉;牟强;;等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响[J];材料保护;2006年07期

2 董杰;金相起;朴范求;金浩熙;;a-Si TFT LCD过孔尺寸的缩减(英文)[J];液晶与显示;2008年06期

3 周伟峰;薛建设;明星;刘翔;郭建;谢振宇;赵承潭;陈旭;闵泰烨;;应用低介电材料丙烯酸酯树脂作为TFT-LCD的钝化层材料(英文)[J];液晶与显示;2011年01期

4 于映，，陈抗生;氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究[J];真空电子技术;1996年02期

5 谢振宇;龙春平;邓朝勇;林承武;;非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究[J];真空科学与技术学报;2007年04期

6 刘翔;王章涛;崔祥彦;邓振波;邱海军;;液晶阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究[J];真空科学与技术学报;2008年04期

7 姚建可;许宁生;邓少芝;陈军;佘峻聪;王彬;;塑料基底a-Si∶H TFT制备技术[J];液晶与显示;2010年04期

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3 张立敏,吴鸿兴,范滇元,郑玉霞;高透过率LiF:F_2~-晶体调Q Nd:YAG激光器的输出特性[J];中国科学技术大学学报;1984年03期

4 孙明武,高祀建,张国轩;玻璃包层紫外光纤制备及特性研究[J];中国建材科技;1995年02期

5 刘锐,殷宗敏,李荣玉,王建华;石英光纤受γ射线辐照实验[J];光学技术;2000年01期

6 乔广林,苏东林,康文运;满足烟幕透过率测量的红外辐射源设计[J];激光与红外;2005年03期

7 祝雪丰;王林军;胡广;刘建敏;黄建;徐金勇;夏义本;;等离子平板显示中冷阴极纳米金刚石膜的制备(英文)[J];电子器件;2008年01期

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本文编号：2203362