平栅型双层膜阴极的脉冲电压处理及场致发射性能研究

发布时间：2018-10-24 08:25

【摘要】：采用脉冲电压法对平栅双层膜阴极进行处理,进一步提高其场致发射性能。采用磁控溅射法在平行栅电极上溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,并对薄膜进行AFM分析,通过场致发射测试结果表明,经过脉冲电压法处理后的平行栅双层膜阴极的发射性能,如亮度、均匀度等有了很大的提高,阳压为3 000 V,栅压为190 V,其腔体亮度可达462 cd/m2。平行栅双层膜阴极的脉冲电压处理可以有效改善阴极的场发射性能,为改善SED阴极结构及材料提供了一条有效的实验方法。
[Abstract]:The pulsed voltage method is used to treat the flat gate bilayer film cathode to further improve its field emission performance. Bismuth oxide and tin oxide thin films were deposited on parallel gate electrodes by magnetron sputtering. The AFM analysis of the films was carried out. The field emission test results showed that the emission properties of the parallel gate bilayer cathode treated by pulse voltage method were obtained. For example, brightness and uniformity have been greatly improved. The positive pressure is 3 000 V, the gate voltage is 190 V, and the luminance of the cavity can reach 462 cd/m2.. The pulse voltage treatment of parallel gate double-layer cathode can effectively improve the field emission performance of the cathode and provide an effective experimental method for improving the structure and material of SED cathode.
【作者单位】： 福建工程学院信息学院;福州大学光电显示技术研究所;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61106053) 福建省自然科学基金资助项目(2012D068,2012J01185) 福建工程学院科研基金资助项目(GY-Z13040)
【分类号】：TN873

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2290858