TFT-LCD产业中GOA单元不良的研究

发布时间：2017-08-21 05:22

  本文关键词：TFT-LCD产业中GOA单元不良的研究

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【摘要】：通过对TFT-LCD制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善GOA单元不良的方法。分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化;沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域沟道光刻胶厚度偏厚和偏薄。采用静电分散释放的连线设计,ESD的发生率从5.4%降低到0.04%以下。GOA单元两侧增加测试图样(Dummy Pattern)的设计防止沟道桥接的发生,减压干燥(VCD)抽气曲线的调整和软烘(Soft Bake)底部温度的优化措施防止沟道开裂的发生,沟道桥接和开裂的发生率从13.4%降低到1.22%以下。
【作者单位】： 北京京东方显示技术有限公司;江南大学江苏省食品先进制造装备技术重点实验室;
【关键词】： GOA 静电放电 沟道桥接 沟道开裂 显影效应
【分类号】：TN873.93
【正文快照】： (1.Beijing BOE Display Technology Co.,Lid.,Beijing100176,China;2.Jiangsu Key Laboratory of Advanced Food Manufacturing Equipment and Technology,Jiangnan University,Wuxi 214122,China)1引言随着薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)的发展,液晶产品的竞争越来越激烈,

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本文编号：711066