螺旋波等离子体合成SiON薄膜及其特性

发布时间：2018-05-05 17:53

  本文选题：螺旋波等离子体 + SiON　； 参考：《科学通报》2017年19期

【摘要】：采用不同比例的N_2/Ar螺旋波等离子体(HWP),对Si表面进行氮化处理合成SiON薄膜.X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)结果显示,SiON薄膜主要由Si O N和Si N键的两相结构组成.原子力显微镜结果表明氮化层光滑平整,薄膜表面粗糙度小于1.2 nm.水接触角的测量表明经过等离子体处理后样品表面疏水性能提高.放电过程中通过发射光谱采集了不同N_2和Ar流量比放电时的光谱数据,研究了等离子体中的粒子与SiON薄膜结构之间的关系.
[Abstract]:SiON thin films were synthesized by nitridation treatment on Si surface by N_2/Ar helical wave plasma with different ratios. X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results show that the Sion films are mainly composed of Si O O N and Si N bonds. Atomic force microscopy (AFM) results show that the nitride layer is smooth and the surface roughness of the film is less than 1.2 nm. The measurement of water contact angle shows that the surface hydrophobicity of the sample is improved after plasma treatment. During the discharge, the spectral data of different discharge ratios of N _ S _ 2 and ar were collected by emission spectra, and the relationship between the particles in plasma and the structure of SiON thin films was studied.
【作者单位】： 苏州大学物理与光电能源学部苏州纳米科技协同创新中心;江苏省薄膜材料重点实验室;苏州大学分析测试中心;
【基金】：国家磁约束聚变项目(2014GB106005,2010GB106000) 国家自然科学基金(11175126,11375126,11435009,11505123)资助
【分类号】：O484;O53

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本文编号：1848709