采用收拢式表面的二次电子发射抑制策略
本文选题：收拢表面 + 二次电子 ； 参考：《西安交通大学学报》2017年04期
【摘要】：针对二次电子谐振倍增引起的微放电效应导致微波部件传输性能降低的现象,提出了一种能显著抑制二次电子的收拢式微陷阱表面结构。首先,通过分类处理弹性背散射、非弹性背散射以及真二次电子出射概率得到平整表面的总二次电子出射特性;然后,采用粒子模拟的方法跟踪二次电子在收拢式陷阱结构内的级联再入射过程,获得收拢式陷阱结构对二次电子的抑制特性,从而得到收拢式表面结构对不同类型出射电子的抑制效果和二次电子能谱变化趋势,以及表面结构参数对二次电子发射特性和微放电品质因子的影响规律。仿真结果表明:收拢式表面使得二次电子产额在各个能量段整体下降,对应的二次电子能谱呈现更集中的趋势。收拢式结构中的矩形宽度对二次电子的影响呈先减小后增加趋势,而矩形深度能呈线性地提高微放电的品质因子。这种收拢式结构的椭圆水平轴长在最优的情况下比相同孔隙率和深宽比矩形陷阱结构对二次电子发射的抑制效果提高21.2%,同时使微放电品质因子提升24.97%。
[Abstract]:In view of the phenomenon that the transmission performance of microwave components is reduced due to the microdischarge effect caused by the secondary electron resonance multiplication, a kind of closed microtrap surface structure which can significantly suppress the secondary electrons is proposed. First, the total secondary electron emission characteristics of flat surface are obtained by classifying elastic backscattering, inelastic backscattering and true secondary electron ejection probability. Particle simulation is used to track the cascade reincidence process of secondary electrons in the trapping structure, and the suppression characteristics of the secondary electrons by the trapping structure are obtained. The effect of the retractable surface structure on the emission of different types of electrons and the change trend of the secondary electron energy spectrum are obtained, as well as the influence of surface structure parameters on the emission characteristics of the secondary electron and the quality factor of the micro-discharge. The simulation results show that the retractable surface results in the decrease of the secondary electron yield at all energy levels, and the corresponding secondary electron spectra show a more concentrated trend. The effect of rectangular width on the secondary electrons in the closed structure decreases first and then increases, while the rectangular depth energy increases linearly the quality factor of microdischarge. The elliptical horizontal axis length of this kind of closed structure is better than that of the rectangular trap structure in inhibiting the secondary electron emission by 21.2% and 24.97% higher than that of the rectangular trap structure under the optimal condition.
【作者单位】： 中国空间技术研究院西安分院国家级空间微波技术重点实验室;西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金重点资助项目(U1537211) 中国博士后科学基金资助项目(2016M602944XB)
【分类号】：O462.2
【参考文献】
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，本文编号：1906020
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