非对称双轴张应变对锗能带的影响

发布时间：2018-06-06 09:01

  本文选题：应变Ge + 双轴张应变　； 参考：《物理学报》2017年16期

【摘要】：采用第一性原理方法系统地研究了沿(001)、(101)和(111)面施加晶面内各方向应变不相等的双轴张应变,即非对称双轴张应变对锗能带结构的影响.结果表明:对于沿(001)面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于2.95%,间接-直接带隙转变才能发生;对于沿(101)面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于3.44%,间接-直接带隙转变才能发生;然而,沿(111)面施加非对称双轴张应变,不发生间接-直接带隙转变.另外,研究还发现无论是施加对称双轴应变还是非对称双轴应变,间接-直接带隙转变得到的应变Ge带隙值都与应变前后拉伸面面积变化大小成反比.
[Abstract]:The effects of asymmetric biaxial tensile strain on the structure of germanium band have been systematically studied by using the first principle method . The results show that the strain in at least one direction is greater than 2.95 % and the indirect - direct band gap transition can take place in the direction of ( 001 ) , ( 101 ) and ( 111 ) .
【作者单位】： 上海大学材料科学与工程学院材料研究所微结构重点实验室;
【基金】：上海市自然科学基金(批准号:15ZR1416000) 国家自然科学基金委员会中国工程物理研究院NSAF联合基金(批准号:U1530115) 国家自然科学基金(批准号:51301102)资助的课题~~
【分类号】：O471.5

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本文编号：1985979