基于第一原理计算拟合Ag、Si和C原子间作用势的研究

发布时间：2018-06-10 02:00

  本文选题：Tersoff势 + 力匹配　； 参考：《华东师范大学学报(自然科学版)》2017年04期

【摘要】：为了实现Ag在SiC晶体中扩散的分子动力学模拟,根据第一性原理计算结果,采用"力匹配"方法对Ag、Si和C原子间相互作用势进行拟合,并用晶格常数、内聚能、体弹性模量、弹性常数和缺陷形成能等进行了势函数的验证.结果表明,拟合所得的势对Si、C和SiC晶体的内聚能、晶格常数和体弹性模量的计算非常准确,最大误差不超过0.6%;并且,该势对Si和C晶体中空位与间隙形成能及SiC晶体中Si与C空位形成能的计算值比采用J.Tersoff给出的势的计算值更精确;此外,该势对16种AgSiC三原子体系缺陷形成能的计算也比较精确.
[Abstract]:In order to realize the molecular dynamics simulation of Ag diffusion in sic crystal, the interaction potential between AgN Si and C atoms was fitted by force matching method according to the first principle calculation results, and the lattice constant, cohesive energy and bulk elastic modulus were used. The elastic constants and the formation energy of defects are verified by the potential function. The results show that the calculated potential is accurate for the cohesive energy, lattice constant and bulk elastic modulus of Si-C and sic crystals, and the maximum error is not more than 0.6. The calculated energy of vacancy and gap formation in Si and C crystals and that of Si and C in sic crystals are more accurate than those given by J. Tersoff. The calculation of the formation energy of 16 kinds of AgSiC triatomic system defects is also accurate.
【作者单位】： 华东师范大学物理与材料科学学院;中国科学院上海应用物理研究所;
【分类号】：O469

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本文编号：2001585