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基于双极性二维晶体的新型p-n结

发布时间:2018-06-15 18:50

  本文选题:二维晶体 + p-n结 ; 参考:《物理学报》2017年21期


【摘要】:二维晶体的特殊结构和新奇物理性能为构建新型纳米结构和器件,实现半导体领域的突破性进展提供了可能.本文首先介绍了双极性二维晶体的基本物理性能和相关范德瓦耳斯异质结的制备方法.在此基础上,主要综述了双极性二维晶体在新型电场调制二维晶体p-n结与异质p-n结以及非易失性可存储二维晶体p-n结等方面的应用、相关结构设计、电子和光电子等物理性能.然后进一步介绍了该类新型p-n结在逻辑整流电路、场效应光电子晶体管、多模式非易失性存储器、整流存储器、光电子存储器、光伏器件等方面的潜在应用.最后总结展望了该种新型p-n结在相关领域的可能发展方向.
[Abstract]:The special structure and novel physical properties of two-dimensional crystals make it possible to construct new nanostructures and devices and realize the breakthrough in semiconductor field. In this paper, the basic physical properties of bipolar two-dimensional crystal and the preparation method of related van der Waals heterojunction are introduced. On this basis, the applications of bipolar two-dimensional crystals in the fields of new electric field modulated 2-D crystal p-n junction and heterostructure p-n junction, non-volatile storage two-dimensional p-n junction, related structure design, electronic and optoelectronic physical properties are reviewed. Then the potential applications of p-n junction in logic rectifier circuit, field effect optoelectronic transistor, multimode nonvolatile memory, rectifier memory, optoelectronic memory, photovoltaic device and so on are introduced. Finally, the possible development direction of this new p-n junction in related fields is summarized and prospected.
【作者单位】: 同济大学物理科学与工程学院上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室;
【基金】:上海市自然科学基金(批准号:16ZR1439400,17ZR1447700)资助的课题~~
【分类号】:O475

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本文编号:2023167

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