GaAs间隔层厚度对InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响

发布时间：2021-08-15 22:08

　　采用光致荧光发射谱（PL）和时间分辨荧光发射谱（TRPL）研究了GaAs间隔层厚度对自组装生长的双层InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响.首先,测量低温下改变激发强度的PL谱,底层量子点和顶层量子点的PL强度比值随激发强度发生变化,表明两层量子点之间的耦合作用和层间载流子的转移随着间隔层厚度变大而变弱.接着测量改变温度的PL谱,量子点荧光光谱峰值位置（Emax）、半峰全宽及积分强度随温度发生变化,表明GaAs间隔层厚度直接影响到量子点内载流子的动力学过程和量子点发光的热淬灭过程.最后,TRPL测量发现60mL比40mL间隔层厚度样品的载流子隧穿时间有明显延长. 

【文章来源】：光子学报. 2017,46(08)北大核心EICSCD

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【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3345023