2～4μm中红外锑化物半导体激光器研究进展（特邀）

发布时间：2021-08-17 20:33

　　2～4μm波段是非常重要的红外大气窗口,工作在这个波段的激光器在气体检测,医疗美容和工业加工领域具有十分巨大的应用价值。锑化物半导体材料低维结构具有窄禁带直接跃迁发光的独特优势,是实现中红外波段半导体激光器的理想材料体系。近年来,国内外锑化物半导体激光器研究不断取得重要进展,先后实现了量子阱发光的波长拓展、大功率单管和阵列激光器的室温连续激射,也实现了多波段的单模激光器的室温连续工作。锑化物半导体低维材料组分复杂、界面钝化性质特殊,材料外延和工艺制备技术难度较大。文中从锑化物半导体激光器的基本原理出发,综述了国内外研究现状,介绍了锑化物材料低维结构激光器的设计方案、关键制备技术的主要进展,分析了今后该类激光器性能优化的重点研发方向等。 

【文章来源】：红外与激光工程. 2020,49(12)北大核心EICSCD

【文章页数】：9 页

【参考文献】：
期刊论文
[1]2μm GaSb基大功率半导体激光器研究进展[J]. 谢圣文,杨成奥,黄书山,袁野,邵福会,张一,尚金铭,张宇,徐应强,倪海桥,牛智川.  红外与激光工程. 2018(05)
[2]锑化物中红外单模半导体激光器研究进展[J]. 杨成奥,谢圣文,黄书山,袁野,张一,尚金铭,张宇,徐应强,牛智川.  红外与激光工程. 2018(05)
[3]高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSbⅠ型量子阱室温工作激光器（英文）[J]. 柴小力,张宇,廖永平,黄书山,杨成奥,孙姚耀,徐应强,牛智川.  红外与毫米波学报. 2017(03)
[4]大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器（英文）[J]. 廖永平,张宇,杨成奥,黄书山,柴小力,王国伟,徐应强,倪海桥,牛智川.  红外与毫米波学报. 2016(06)



本文编号：3348450