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基于相干光的微电子光学测量系统技术分析

发布时间:2021-10-10 22:38
  目前集成电路对微电子测量技术提出了较高要求,其中光学关键尺寸作为微电子测量中的关键,其分辨率与测量极限问题表现得较为突出。本文基于相干光技术,详细研究相干光技术在微电子光学测量中的应用,并提出一套完整的系统方案,希望为进一步提高微电子测量精准度寻找出更有效的方法。 

【文章来源】:电子元器件与信息技术. 2020,4(09)

【文章页数】:2 页

【部分图文】:

基于相干光的微电子光学测量系统技术分析


系统结构

【参考文献】:
期刊论文
[1]直流磁控溅射制备氧化铜膜的电学和光学性质[J]. 许超.  电子元器件与信息技术. 2020(06)
[2]基于Tavis-Cummings模型实现非定域三原子系统量子特性的远程控制[J]. 韩峰,夏云杰,杜少将.  原子与分子物理学报. 2009(06)
[3]高Q腔中Stark效应对两原子纠缠的影响[J]. 邢晋晶,王中结,张侃.  量子电子学报. 2009(03)
[4]高斯型耦合Tavis-Cummings模型的纠缠特性[J]. 邹艳,李永平.  量子电子学报. 2008(03)
[5]多光子Tavis-Cummings模型中两纠缠原子的纠缠演化特性[J]. 张英杰,周原,夏云杰.  物理学报. 2008(01)
[6]双模纠缠相干光与Bell态原子系统的光子统计[J]. 林继成,郑小虎,曹卓良.  光子学报. 2007(06)



本文编号:3429282

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