Ge掺杂β-Ga 2 O 3 晶体的发光性能研究（英文）
发布时间：2022-12-04 03:48
采用浮区法（FZ）生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快。
【文章页数】：8 页
【文章目录】：
0 Introduction
1 Experiment
1.1 Crystal growth
1.2 Performance test
2 Results and discussion
2.1 Structural characterization
2.2 Optical properties
3 Conclusion
【参考文献】：
期刊论文
[1]混晶β-（Al,Ga）2O3的禁带调节（英文）[J]. 肖海林,邵刚勤,赛青林,夏长泰,周圣明,易学专. 无机材料学报. 2016(11)
本文编号：3707544
【文章页数】：8 页
【文章目录】：
0 Introduction
1 Experiment
1.1 Crystal growth
1.2 Performance test
2 Results and discussion
2.1 Structural characterization
2.2 Optical properties
3 Conclusion
【参考文献】：
期刊论文
[1]混晶β-（Al,Ga）2O3的禁带调节（英文）[J]. 肖海林,邵刚勤,赛青林,夏长泰,周圣明,易学专. 无机材料学报. 2016(11)
本文编号：3707544
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/wulilw/3707544.html
