PFM开关电源集成电路的抗电磁干扰设计

发布时间：2018-03-30 02:08

  本文选题：开关电源(SMPS)集成电路　切入点：抗电磁干扰(EMI)　出处：《半导体技术》2017年08期

【摘要】：针对脉冲频率调制(PFM)开关电源(SMPS)集成电路,提出了抗电磁干扰(EMI)设计的两种方法。通过采用零电流检测电路,控制开关电源集成电路中的开关金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在第一个谷底导通,从而降低导通电流的尖峰值。通过采用恒压和恒流设计技术,使开关电源集成电路中的电压和电流得到限制,有助于降低电流纹波。采用CSMC 1μm 40 V高压工艺设计了PFM开关电源集成电路SX1618,将以上两种抗电磁干扰设计方法应用在该电路的设计中,并设计了针对性的保护结构。完成SX1618整体仿真和版图设计后进行了流片和封装,并将其应用在实际的开关电源中,经测试,开关电源的抗电磁干扰能力符合标准。
[Abstract]:For pulse frequency modulation (PFM) switching power supply (SMPS) integrated circuit, two methods of EMI design are presented. The switching metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) in the integrated circuit of switching power supply (SMPs) is controlled on at the bottom of the first valley, thus reducing the peak value of the conduction current. By using constant voltage and constant current design technology, Limiting the voltage and current in the switching power supply integrated circuit, It is helpful to reduce the current ripple. The PFM switching power supply IC SX1618 is designed by using CSMC 1 渭 m 40V high voltage process. The above two design methods of anti-electromagnetic interference are applied in the design of the circuit. After completing the overall simulation and layout design of SX1618, the chip and package are carried out, and applied in the actual switching power supply. The test results show that the switching power supply meets the standard of anti-electromagnetic interference ability.
【作者单位】： 江苏信息职业技术学院电子信息工程学院;
【基金】：江苏省教育厅资助项目(PPZY2015B190) 江苏省教育厅“青蓝工程”科技创新团队资助项目(苏教师(2016)15号)
【分类号】：TN402;TN86

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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