ADS模式低存储电容像素设计

发布时间：2019-10-17 10:26

【摘要】：高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C_(st))成为限制Dual Gate GOA 4K TV应用的主要因素。在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低C_(st)。本文采用一种双条形电极ADS结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成ADS结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低ADS模式C_(st)的目的。模拟结果表明:当ADS显示模式采用Dual Slit ADS设计时,像素的C_(st)可以下降30%~40%。实验结果表明:采用Low Cst Pixel ADS设计时,VGH Margin可以增大2.5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5%。
【作者单位】： 重庆京东方光电科技有限公司;
【分类号】：TN873

【相似文献】

相关期刊论文 前2条

1 刘祝军;;TFT液晶屏的内部结构是怎样的[J];家电检修技术;2014年03期

2 ;[J];;年期

，

本文编号：2550515