一种适合于OLED电视电源应用的新型超级结MOSFET

发布时间：2020-12-27 22:22

　　提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容随漏极电压的变化和开关过程,发现600 V新型超级结MOSFET比现有600 V超级结MOSFET的击穿电压提高了15 V、比导通电阻减小约3%,开关特性得到了大幅改善,器件关断时漏极电压尖峰降低41 V,栅极电压尖峰降低10 V。该新型超级结MOSFET在国内晶圆制造平台上成功制作,获得了优异的器件性能。在300 W有机发光二极管(OLED)电视电源板上进行替代纵向双扩散MOSFET(VDMOSFET)的对比测试,发现电源系统使用该新型超级结MOSFET比使用现有超级结MOSFET,其电磁干扰(EMI)性能改善了4.32～5.8 dB;与使用VDMOSFET相比,在保持EMI性能同等水平的同时,系统效率提高了0.52%。 

【文章来源】：半导体技术. 2020年12期 北大核心

【文章页数】：9 页

【文章目录】：
0 引言
1 超级结MOSFET的优势
2 新型超级结MOSFET
3 实验验证
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]超结VDMOS漂移区的几种制作工艺[J]. 马万里,赵圣哲.  半导体技术. 2014(09)
[2]超级结深沟槽填充工艺及其对器件性能的影响[J]. 雷海波,肖胜安,刘继全,王飞.  固体电子学研究与进展. 2014(03)



本文编号：2942600