多MOSFET并联均流的高稳定度恒流源研究

发布时间：2017-07-14 01:02

  本文关键词：多MOSFET并联均流的高稳定度恒流源研究

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【摘要】：提出了一种基于多MOSFET并联均流的高稳定度大电流恒流源研究方案,输出电流最高可达30 A且连续可调,输出30 A时,30分钟内电流稳定度优于5 ppm。文中详细分析了恒流源基本稳流电路的工作原理,并对电路中关键元器件的选型进行了分析说明。通过高精度基准电压芯片和基于大功率精密电阻采样的电流串联负反馈方法提高系统的稳流精度,通过多只功率MOSFET并联均流工作作为调整管,实现了输出大电流的高稳定度,同时对影响功率MOSFET并联工作的因素进行了系统分析。提出的恒流源方案,对高稳定度直流电源的设计具有一定的参考价值。
【作者单位】： 中国计量学院机电工程学院;中国计量科学研究院;
【关键词】： 恒流源 高稳定度 串联负反馈 MOSFET并联均流
【基金】：国家重大科学仪器设备开发专项项目(2011YO090004)
【分类号】：TN86
【正文快照】： 0引言恒流源是一种能够向负载提供稳定电流的电源,广泛应用于半导体测试、传感器技术、电子测量、激光、超导、航天等科学研究领域。目前商品化的恒流源输出电流范围在毫安至数百安培量级,但输出电流的稳定度水平一般不高,各类文献中介绍的以及性能较好的商品化恒流源,在输出

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本文编号：539032