过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究

发布时间：2017-07-30 14:29

  本文关键词：过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究

  更多相关文章： 干法刻蚀 侧面接触方式 过孔 液晶面板 低温多晶硅技术

【摘要】：为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致PSi表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺。利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致。实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿。采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能。
【作者单位】： 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司;
【关键词】： 干法刻蚀 侧面接触方式 过孔 液晶面板 低温多晶硅技术
【分类号】：TN305.7;TN873.93
【正文快照】： 1引言液晶面板显示技术高速发展,人们对液晶面板的要求也越来越高[1-2]。低温多晶硅作为显示领域新一代的技术,从开发至今已有十几年的历史,利用该技术的液晶面板具有更快的响应速度和更高的分辨率[3-4]。过孔是连接SD线(SourceDrain Line)和P-Si(Polysilicon)的通道,它主要是

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 周荣春,张海霞,郝一龙;微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状[J];微纳电子技术;2003年Z1期

2 敬小成,黄美浅,姚若河;携带气体对二氧化硅干法刻蚀的影响[J];微电子学;2005年05期

3 王冲;郝跃;冯倩;郭亮良;;氮化镓干法刻蚀研究进展[J];半导体技术;2006年06期

4 葛强;;硅的干法刻蚀简介[J];集成电路应用;2008年04期

5 张钦亮;苏静洪;王谟;平志韩;雍春娥;祝启蒙;金志杰;;一种干法刻蚀机的新型装载腔设计[J];制造技术与机床;2013年03期

6 李晓明;;干法刻蚀技术的进展[J];半导体情报;1987年04期

7 朱洪亮;干法刻蚀Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展[J];科学通报;1989年22期

8 江泽流;;微细制版中的干法刻蚀技术研究[J];电子工艺技术;1991年05期

9 李祥;干法刻蚀铝合金引线产生的后腐蚀及其对策[J];微电子技术;1996年01期

10 李昭俊,成荣;电子束制版中的干法刻蚀技术[J];山东工业大学学报;1998年03期

中国重要会议论文全文数据库 前6条

1 杨霏;周瑞;李亮;冯震;李效白;潘宏菽;蔡树军;;碳化硅器件制备中干法刻蚀工艺的研究[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

2 陈磊;张靖;毛谦;;ICP干法刻蚀技术在Ⅲ-Ⅴ族化合物中的应用[A];武汉市第二届学术年会、通信学会2006年学术年会论文集[C];2006年

3 张沛元;郭浩;张雄;崔一平;;蓝光LED的Si基图形化衬底制备技术[A];2012（杭州）中国长三角照明科技论坛论文集[C];2012年

4 栗锐;王义;林罡;陈堂胜;;干法栅挖槽GaAs HFET功率管[A];2010’全国半导体器件技术研讨会论文集[C];2010年

5 赖建军;赵悦;柯才军;周宏;易新建;翁雪涛;熊平;;硅衍射微透镜阵列的制作技术研究[A];2004全国图像传感器技术学术交流会议论文集[C];2004年

6 江忠永;李书文;张昊翔;;干法和湿法图形化蓝宝石衬底在GaN基LED上的应用[A];2012（杭州）中国长三角照明科技论坛论文集[C];2012年

中国重要报纸全文数据库 前1条

1 王俊鸣;美专家打造立体芯片[N];科技日报;2003年

中国博士学位论文全文数据库 前2条

1 曹萌;干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2007年

2 魏文雄;GaAs/A1GaAs材料V型腔可调谐激光器的设计制作及在生物检测上的应用[D];浙江大学;2013年

中国硕士学位论文全文数据库 前5条

1 张新言;干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善[D];上海交通大学;2009年

2 邱鹏;C_4F_6在130nm产品中接触孔/通孔干法刻蚀工艺中的应用[D];上海交通大学;2008年

3 张超;宽带隙氧化锌和氧化镓的干法刻蚀研究[D];大连理工大学;2014年

4 王笑龙;纳米多孔氮化镓制备及氮化镓干法刻蚀损伤回复研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2006年

5 徐炜;0.18微米侧壁（Spacer）干法刻蚀工艺的开发与优化[D];复旦大学;2008年

，

本文编号：594704