一种-100dB电源抑制比的非带隙基准电压源

发布时间：2017-10-05 13:01

  本文关键词：一种-100dB电源抑制比的非带隙基准电压源

  更多相关文章： CMOS基准电路 非带隙基准电路 预调制电路 超级源极跟随器 电源抑制比

【摘要】：该文提出一种非带隙基准电路,通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压,为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗,有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0.35μm CMOS工艺设计并流片,测试结果表明,该电路的工作电源电压为1.8~5 V,静态电流约为13μA。低频处电源抑制比(PSRR)约等于-100 d B,在小于1 k Hz频率范围内PSRR均优于-93 d B。并且其片上面积仅为0.013 mm2。
【作者单位】： 中国科学院电子学研究所;中国科学院大学;
【关键词】： CMOS基准电路 非带隙基准电路 预调制电路 超级源极跟随器 电源抑制比
【基金】：国家自然科学基金(61474120) 国家重点基础研究发展计划(2014CB744600)~~
【分类号】：TN86
【正文快照】： (中国科学院大学北京100049)1引言近年来,智能手机、掌上电脑、便携式影音设备以及医疗设备等消费类电子呈现不断增长的趋势。在为这些设备供电时,不论是开关电源还是线性电源,都必须经过电源管理模块输出稳定的供电电压,才能保证设备的功能和性能达到预期指标。基准电压源是

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前3条

1 毛静文;陈廷乾;陈诚;任俊彦;杨励;;低电压基准电压源(英文)[J];复旦学报(自然科学版);2006年01期

2 任明岩;;RF电路中LDO电源抑制比和噪声的选择[J];电子产品世界;2006年21期

3 ;[J];;年期

中国硕士学位论文全文数据库 前7条

1 郭铭强;高精度片上电源的研究与实现[D];复旦大学;2014年

2 袁莹莹;一种低压差线性稳压器的设计[D];吉林大学;2010年

3 戚忠雪;一种基于0.18μm工艺的LDO的设计[D];吉林大学;2013年

4 王磊;一种高性能的低压差线性稳压器设计[D];电子科技大学;2011年

5 杨帆;低噪声低功耗LDO的研究与设计[D];暨南大学;2011年

6 付秀兰;高性能CMOS低压差线性稳压器的设计[D];合肥工业大学;2009年

7 张宏杰;全片上集成的线性稳压器的研究与设计[D];浙江大学;2010年

，

本文编号：976915