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  本文关键词：MEMS湿法腐蚀工艺的研究，由笔耕文化传播整理发布。

MEMS湿法腐蚀工艺的研究 摘要 等 中表现出各阳异性腐蚀特性，因此在微电子、微光学、微机械系统领域，体硅微机械技 术得到广泛应用。随着应用的深入，器件性能的提高，要求单晶硅腐蚀表面光滑平整、无 态，关于这些粗糙状态的成因有许多解释，其中反应产物――氢气和硅酸盐――严重影响 了硅腐蚀面的粗糙度。 为了尽量消除单晶硅腐蚀表面的粗糙状态，人们提出了各种办法，例如：在腐蚀液中 加入氧化物 氰铁酸盐或氧气 或正向偏压电化学腐蚀，加入乙醇或异丙醇，进行超声振荡等。 通过加入表面活性剂以改善单晶硅各向异性腐蚀特性的报道还不多。 本文总结了硅在碱性腐蚀液中各项异性腐蚀的机理模型，并对模型的发展提出了建设 性的意见。 通过分析溶液的微观结构和溶液中粒子数密度的涨落，指出当溶液由于成分变化或外 界条件变化后，溶液的结构也随之发生变化，相应地溶液性质也会发生变化，影响了腐蚀 结果。着重介绍了表面活性剂的各种性质，以及溶液中加入活性剂后溶液性性质的改变。 通过大量的实验，测定了复合型非离子活性剂改变腐蚀液表面张力的状况；研究了溶 的腐蚀面粗糙状态随着活性剂浓度的变化而变化的情况，，得到结论：当腐蚀液中加入的活 性剂浓度大于它的cmc时，硅腐蚀面的粗糙状况随着活性剂的浓度的增大而减小；对于腐 蚀过程中产生的大量的气泡，可以加入双氧水的到很好的解决，最后分析了双氧水消除氢 气气泡的原因和双氧水参加硅腐蚀化学过程所起的作用。 河北工业大学顾 学位论文 ASTUDYoNSILICONWETETCHINGFoR MEMS ABSTRACT Becauseofits insome anisotropicetching high-pH founda siliconhas wide TMAH ，singlecrystal applicationrangeinclud

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