低压大位移静电微驱动器驱动机理分析

发布时间：2018-11-23 07:48

【摘要】：针对微电子机械系统领域中横向加载单向变形静电微驱动器存在位移过小或驱动电压过大的问题,提出一种纵横弯曲硅基大位移低电压静电微驱动器.分析了静电调节力、温度应力和挤压力对微梁变形的影响.基于纵横弯曲理论,推导出位移放大系数δ.仿真结果发现,纵横弯曲微驱动器的驱动机理实质是通过位移放大系数δ,放大单向加载横向驱动器变形量,从而实现大位移、低电压驱动目的;5V驱动电压可实现高达17.5μm的位移,远大于目前传统横向加载单向变形微驱动器的变形量.
[Abstract]:In order to solve the problem that the displacement is too small or the driving voltage is too large in the field of microelectromechanical system, a low voltage electrostatic microactuator with large displacement and large displacement is proposed. The influence of electrostatic force, temperature stress and extrusion pressure on the deformation of microbeam is analyzed. Based on the theory of longitudinal and transverse bending, the displacement magnification factor 未 is derived. The simulation results show that the driving mechanism of longitudinal and transverse bending microactuators is to amplify the deformation of the lateral actuators under unidirectional loading by means of displacement magnification factor 未, so as to achieve the purpose of large displacement and low voltage driving. The displacement of 5V driving voltage can be up to 17.5 渭 m, which is much larger than that of traditional unidirectional microactuators loaded in transverse direction.
【作者单位】： 西安电子科技大学机电工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61176130)
【分类号】：TH703

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2350826