一种应用于经颅磁刺激脉冲宽度可调的节能型激励源
发布时间:2021-03-14 01:45
为了提高经颅磁刺激系统中激励源的节能率,该文在脉冲宽度可控经颅磁刺激仪(cTMS1)的基础上,提出一种节能型激励源(EEES),并设计EEES电路拓扑结构和开关控制方法。首先,通过控制开关的导通时间,实现脉冲电流宽度的调节。然后,设计电路拓扑结构,实现能量的回收再利用,提高系统的能量利用率。最后,开发EEES实验平台并对系统性能进行测试。实验结果表明,EEES可以产生幅值高达1 058A的脉冲电流,可调脉冲宽度范围为5~160μs。与cTMS1激励源相比,EEES能量自损率明显低于cTMS1,节能率高达62.60%~93.21%。因此,该文提出的EEES系统为TMS激励源的发展提供了重要参考。
【文章来源】:电工技术学报. 2020,35(04)北大核心
【文章页数】:8 页
【部分图文】:
cTMS1电路拓扑
EEES电路拓扑
cTMS1和EEES续流对比
【参考文献】:
期刊论文
[1]经颅磁声电刺激参数对神经元放电模式的影响分析[J]. 张帅,崔琨,史勋,王卓,徐桂芝. 电工技术学报. 2019(18)
[2]IGBT串联动态均压特性分析与控制[J]. 丁顺,邢岩,王钧,胡海兵. 电工技术学报. 2018(14)
[3]基于SiC MOSFET直流固态断路器关断初期电压尖峰抑制方法[J]. 李辉,廖兴林,肖洪伟,姚然,黄樟坚. 电工技术学报. 2018(05)
[4]多通道经颅磁刺激线圈阵列的驱动与控制[J]. 李江涛,曹辉,郑敏军,赵政. 电工技术学报. 2017(22)
[5]经颅磁刺激技术的研究进展[J]. 李江涛,郑敏军,曹辉. 高电压技术. 2016(04)
[6]基于聚焦线圈和固态开关的脉冲磁场发生器[J]. 米彦,储贻道,蒋春,姚陈果,李成祥. 仪器仪表学报. 2014(07)
[7]适用于临床及动物试验的高频重复经颅磁刺激系统设计及其应用[J]. 于阳,李玥,张广浩,白金柱,吴昌哲,霍小林. 高电压技术. 2013(01)
本文编号:3081278
【文章来源】:电工技术学报. 2020,35(04)北大核心
【文章页数】:8 页
【部分图文】:
cTMS1电路拓扑
EEES电路拓扑
cTMS1和EEES续流对比
【参考文献】:
期刊论文
[1]经颅磁声电刺激参数对神经元放电模式的影响分析[J]. 张帅,崔琨,史勋,王卓,徐桂芝. 电工技术学报. 2019(18)
[2]IGBT串联动态均压特性分析与控制[J]. 丁顺,邢岩,王钧,胡海兵. 电工技术学报. 2018(14)
[3]基于SiC MOSFET直流固态断路器关断初期电压尖峰抑制方法[J]. 李辉,廖兴林,肖洪伟,姚然,黄樟坚. 电工技术学报. 2018(05)
[4]多通道经颅磁刺激线圈阵列的驱动与控制[J]. 李江涛,曹辉,郑敏军,赵政. 电工技术学报. 2017(22)
[5]经颅磁刺激技术的研究进展[J]. 李江涛,郑敏军,曹辉. 高电压技术. 2016(04)
[6]基于聚焦线圈和固态开关的脉冲磁场发生器[J]. 米彦,储贻道,蒋春,姚陈果,李成祥. 仪器仪表学报. 2014(07)
[7]适用于临床及动物试验的高频重复经颅磁刺激系统设计及其应用[J]. 于阳,李玥,张广浩,白金柱,吴昌哲,霍小林. 高电压技术. 2013(01)
本文编号:3081278
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