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医用加速器偏转线圈铜导线结垢过程研究

发布时间:2021-12-31 16:04
  目的:探究医用加速器偏转线圈铜导线结垢过程,分析偏转线圈铜导线堵塞的原因。方法:选用T2黄铜在高纯除盐水中进行腐蚀结垢试验,通过伏安极化、恒电位还原和电子扫描电镜分析T2黄铜垢层的产生过程、化学成分及微观形貌,通过试验研究CO2在水中溶解对T2黄铜垢层剥落的影响。结果:T2黄铜在高纯除盐水中发生氧化还原反应,先生成紫红色的、结构致密的Cu2O内垢层,后生成黑褐色的、结构疏松的CuO外垢层。空气中CO2在水中溶解会加速结构疏松的CuO外垢层溶解剥落。结论:铜导线的氧化是形成铜垢的根本原因,冷却水中CO2的侵蚀会加速铜垢的剥落,从而引发偏转线圈堵塞、过热。 

【文章来源】:医疗卫生装备. 2020,41(09)

【文章页数】:4 页

【部分图文】:

医用加速器偏转线圈铜导线结垢过程研究


T2黄铜试片在高纯除盐水中浸泡不同时间后的试验结果

曲线,黄铜,伏安,电极


图2是T2黄铜电极在高纯除盐水中浸泡24 d后的伏安扫描曲线。电位负扫过程中,在-220和-550 m V处出现了2个还原峰C1和C2。其中,C1对应于Cu2+还原为Cu+的电极反应,C2对应于Cu+还原为Cu单质的电极反应。分别在-220和-550 m V电位下对T2黄铜电极进行恒电位还原测试。图3为浸泡24 d后T2黄铜电极的恒电位还原测试的电流-时间曲线。对电流-时间曲线进行积分,可分别得到Cu2+还原为Cu+消耗的电荷量Q1和Cu+还原为Cu单质消耗的电荷量Q2。Q1值可衡量铜垢中CuO的含量;Q2表示Cu2O与CuO的总含量,可表征铜垢的厚度,其中Cu2O的含量可用Q2-Q1衡量。在浸泡不同时间后的还原电荷积分结果详见表1。依据表1结果绘制的垢层成分柱状图如图4所示。在试验初期,T2黄铜表面主要发生化学式(1)~(4)的反应,生成Cu2O,即T2黄铜表面紫红色的铜垢。随着浸泡时间的延长,Cu2O逐步被氧化成CuO,铜垢中Cu2O含量不断减少,CuO的含量不断增加。到浸泡24 d后时,(Q2-Q1)/Q1(即Cu2O/CuO)值仅为0.23,此时铜垢的主要成分为CuO。

时间曲线,黄铜,时间曲线,电位


分别在-220和-550 m V电位下对T2黄铜电极进行恒电位还原测试。图3为浸泡24 d后T2黄铜电极的恒电位还原测试的电流-时间曲线。对电流-时间曲线进行积分,可分别得到Cu2+还原为Cu+消耗的电荷量Q1和Cu+还原为Cu单质消耗的电荷量Q2。Q1值可衡量铜垢中CuO的含量;Q2表示Cu2O与CuO的总含量,可表征铜垢的厚度,其中Cu2O的含量可用Q2-Q1衡量。在浸泡不同时间后的还原电荷积分结果详见表1。依据表1结果绘制的垢层成分柱状图如图4所示。在试验初期,T2黄铜表面主要发生化学式(1)~(4)的反应,生成Cu2O,即T2黄铜表面紫红色的铜垢。随着浸泡时间的延长,Cu2O逐步被氧化成CuO,铜垢中Cu2O含量不断减少,CuO的含量不断增加。到浸泡24 d后时,(Q2-Q1)/Q1(即Cu2O/CuO)值仅为0.23,此时铜垢的主要成分为CuO。图5为T2黄铜试片在浸泡不同时间后表面的SEM图像。浸泡2 d后的SEM图像如图5(a)所示,T2黄铜试片表面形成的Cu2O垢层结构致密,但厚度较薄,仍可见金属基底打磨留下的痕迹。同时,在Cu2O垢层的表面有少量的球状产物生成,这表明此时在薄而致密的Cu2O表面开始生成CuO。浸泡24 d后的SEM图像如图5(b)所示,T2黄铜试片表面垢层变厚,已无法观察到金属基底打磨的槽痕,附着在T2黄铜表面的是CuO垢层,结构疏松,晶体呈不规则的菱形。

【参考文献】:
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本文编号:3560555

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