电子器件γ辐射屏蔽材料设计及性能研究
本文关键词:电子器件γ辐射屏蔽材料设计及性能研究 出处:《机械工程学报》2017年21期 论文类型:期刊论文
更多相关文章: 核电站 MCNPC软件 模拟 屏蔽封装材料 电子器件
【摘要】:为获得具有良好伽马射线屏蔽性能的封装材料,采用蒙特卡罗软件(MCNP4C)进行核电机器人电子器件屏蔽材料设计和屏蔽性能模拟,并分别结合小剂量率单向?射线和大剂量率各向同性Co-60源对所制备的钨/氧化铝复合封装材料的屏蔽性能进行实测。结果表明:试验值与模拟值相近,MCNP4C软件可较好地进行材料设计和屏蔽性能评估。另外,随着钨含量的增大,材料的线性衰减系数和屏蔽率都逐渐增大,半衰减厚度值降低。钨添加量为70%时,材料的综合性能最佳。与商业环氧塑料和氧化铝陶瓷封装材料相比,该复合材料的屏蔽率分别提高了3.79倍和1.13倍,半衰减厚度减小7.04 cm和2.06cm,可为机器人电子器件提供较好的防护作用。
[Abstract]:In order to obtain the packaging materials with good gamma ray shielding performance, the shielding material design and shielding performance simulation of nuclear power robot electronic devices were carried out by using Monte Carlo software MCNP4C. And combined with low dose rate unidirectional? The shielding properties of tungsten / alumina composite packaging materials prepared by X-ray and high dose rate isotropic Co-60 sources were measured. The results show that the experimental values are close to the simulated values. MCNP4C software can be used for material design and shielding performance evaluation. In addition, with the increase of tungsten content, the linear attenuation coefficient and shielding rate of the material increase gradually. When the content of tungsten is 70, the comprehensive properties of the materials are the best. Compared with commercial epoxy plastics and alumina ceramic packaging materials. The shielding efficiency of the composite is increased by 3.79 times and 1.13 times, and the half-attenuation thickness is reduced by 7.04 cm and 2.06 cm, respectively, which can provide better protection for robot electronic devices.
【作者单位】: 华东理工大学材料科学与工程学院;华东理工大学机械与动力工程学院;
【基金】:国家重点基础研究发展计划资助项目(973计划,2013CB035505)
【分类号】:TN04;TP242
【正文快照】: 0前言1核环境中作业的机器人,尤其是要实施核电站紧急救灾的机器人会面临高能辐射、异常湿热以及化学介质等极端恶劣环境[1-2]。其中机器人的电子器件[3-5]受到高能、高剂量率的?射线辐照后很容易发生电离损伤,从而导致救灾机器人系统性能退化甚 至整体失效[6]。因此,为保证
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 Sally Cole Johnson;;有机封装材料的发展充满机遇[J];集成电路应用;2008年05期
2 田大垒;关荣锋;王杏;;新型封装材料与大功率LED封装热管理[J];电子元件与材料;2007年08期
3 王芳;青双桂;罗仲宽;李瑞菲;施勇;;大功率LED封装材料的研究进展[J];材料导报;2010年03期
4 谢占魁,张文栋,曹济;抗高过载电路的封装技术与封装材料[J];测试技术学报;1996年03期
5 蔡辉;王亚平;宋晓平;丁秉钧;;铜基封装材料的研究进展[J];材料导报;2009年15期
6 ;其它材料[J];电子科技文摘;2002年05期
7 牟秋红;李明强;;汽车电子产品及其封装材料的现状与发展方向[J];化工新型材料;2009年11期
8 罗永祥;石逸武;许喜銮;吴本杰;;耐高温耐湿性环氧树脂封装材料的制备[J];电子与封装;2012年12期
9 吴启保;青双桂;熊陶;王芳;吕维忠;罗仲宽;;封装用有机硅材料的制备及性能研究[J];广东化工;2009年02期
10 陈东;;日本东丽道康宁开发出兼顾耐热性及加工性的新型硅类封装材料[J];功能材料信息;2010年02期
中国重要会议论文全文数据库 前6条
1 余彬海;;半导体照明产业的发展及其对封装材料的要求[A];电子信息材料用高聚物树脂技术与应用交流培训会论文集[C];2012年
2 来国桥;华西林;杨雄发;;LED封装用有机Si材料研究[A];第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集[C];2010年
3 任沦海;胡懋红;曹普光;;新型封装材料的研制及应用研究——塑封料离子吸附技术研究[A];第四届理化分析经验交流会论文集(下册)[C];1990年
4 任沦海;胡红;曹普光;;新型封装材料的研制及应用研究——塑封料离子吸附技术研究[A];中国电子学会生产技术学会理化分析四届年会论文集下册[C];1991年
5 于燮康;;半导体封装业的发展及封装材料趋势分析[A];电子信息材料用高聚物树脂技术与应用交流培训会论文集[C];2012年
6 范琳;陶志强;王德生;何民辉;杨士勇;;先进封装技术及其封装材料[A];电子专用化学品高新技术与市场研讨会论文集[C];2004年
中国重要报纸全文数据库 前2条
1 莫大康;中国封装材料投资持续增长[N];中国电子报;2008年
2 莫大康;封装材料:市场与技术协调发展[N];中国电子报;2008年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 李甜;高性能LED显示器件封装材料的制备及性能研究[D];复旦大学;2014年
2 王富权;无卤阻燃有机磷酸酯封装材料的制备[D];华南理工大学;2016年
3 吴启鹏;有机电致发光器件封装材料气体渗透率的质谱法测量[D];电子科技大学;2010年
4 梁军;黑色氧化铝陶瓷封装材料及叠层工艺研究[D];华中科技大学;2007年
5 李树林;OLED封装材料气体渗透率的测量[D];电子科技大学;2009年
6 王静;封装材料气体渗透率的质谱法测量[D];电子科技大学;2013年
7 蔡万泼;LED紫外光固化封装材料的研究[D];浙江工业大学;2012年
8 杨庆旭;微电子低温快速封装材料研究[D];复旦大学;2011年
9 李正伟;柔性电子多层封装及粘弹性效应分析[D];浙江大学;2012年
10 董波;有机电致发光器件封装材料的制备及其性能研究[D];天津理工大学;2007年
,本文编号:1422401
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/zidonghuakongzhilunwen/1422401.html