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基于粒子群优化算法的光刻机光源掩模投影物镜联合优化方法

发布时间:2018-04-05 10:03

  本文选题:光学制造 切入点:光刻 出处:《光学学报》2017年10期


【摘要】:全芯片多参数联合优化是光刻分辨率增强技术的重要发展方向。提出了一种基于粒子群优化(PSO)算法的光源掩模投影物镜联合优化(SMPO)方法。将由像素表征的光源、由离散余弦变换基表征的掩模及由泽尼克系数表征的投影物镜编码为粒子,以图形误差作为评价函数,通过不断迭代更新粒子,实现光源掩模投影物镜联合优化。在标称条件和工艺条件下,采用含有交叉门的复杂掩模图形对所提方法的仿真验证表明,图形误差分别降低了94.2%和93.8%,有效提高了光刻成像质量。与基于遗传算法的SMPO方法相比,该方法具有更快的收敛速度。此外,该方法具有优化自由度高和优化后掩模可制造性强的优点。
[Abstract]:Full-chip multi-parameter optimization is an important development direction of lithography resolution enhancement technology.In this paper, a PSO algorithm based on PSO algorithm is proposed for the joint optimization of light source mask projection objective lens (SMPO).The light source represented by pixels, the mask represented by discrete cosine transform basis and the projective objective lens represented by Zenick coefficient are encoded as particles. The graphics error is used as the evaluation function, and the particles are updated by iteration.The joint optimization of light source mask projection objective lens is realized.Under the nominal and technological conditions, the simulation results show that the error of the proposed method is reduced by 94.2% and 93.8%, respectively, and the lithography quality is improved effectively.Compared with the SMPO method based on genetic algorithm, this method has faster convergence speed.In addition, this method has the advantages of high degree of freedom and high manufacturability of optimized mask.
【作者单位】: 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室;中国科学院大学;
【基金】:上海市自然科学基金(17ZR1434100)
【分类号】:TN405;TP18

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本文编号:1714283

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