γ射线电离辐射对商用CMOS APS性能参数的影响

发布时间：2018-06-27 09:23

  本文选题：CMOS + APS　； 参考：《发光学报》2017年03期

【摘要】：研究了γ射线电离辐射效应对商用CMOS有源像素传感器(APS)性能参数的影响,着重分析了量子效率、转换增益、暗电流、坏点和脉冲颗粒噪声等参数。研究结果表明:当受到1 000 Gy辐射后,APS失去工作能力,无信号输出或像素灰度值仅为0,110,255 DN。60Coγ射线的离位截面约为10-25cm2(0.1 b)。当剂量率低于58.3 Gy/h且辐照时间较短时,辐射对量子效率及转换增益无影响,坏点产生数为0,总剂量效应使3T-APS的本底噪声升高到4.62 DN但对4T PPD APS几乎无影响。脉冲颗粒噪声引起的各灰度值像素数量分布呈泊松分布,并与剂量率正相关。
[Abstract]:The effect of gamma ray ionizing radiation on the performance parameters of commercial CMOS active pixel sensor (APS) is studied. The parameters such as quantum efficiency, conversion gain, dark current, bad point and pulse particle noise are emphatically analyzed. The results show that APS loses its working capacity after 1000 Gy radiation, and the non signal output or pixel gray value is only 0110,25 The cross section of the 5 DN.60Co gamma ray is about 10-25cm2 (0.1 b). When the dose rate is lower than 58.3 Gy/h and the irradiation time is short, the radiation has no effect on the quantum efficiency and the conversion gain, the number of bad points is 0. The total dose effect makes the background noise of 3T-APS to 4.62 DN, but there is almost no effect on 4T PPD APS. The number distribution of pixels is Poisson distribution and is positively correlated with dose rate.
【作者单位】： 南华大学核设施应急安全作业技术与装备湖南省重点实验室;南华大学核科学技术学院;中国核动力研究设计院;
【基金】：湖南省科技重大专项(2012FJ1007) 湖南省研究生科研创新项目(2015SCX02)资助~~
【分类号】：TP212

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2073447