基于纳米材料和多T碱基DNA序列的汞离子荧光传感器制备
【学位授予单位】:济南大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:O657.3;TP212;TB383.1
【图文】:
图 2.1 荧光传感器的构建过程离子的检测汞离子的检测,整个实验过程分为三步。第一步,将 GO 溶液(最终和 AO 溶液(最终浓度,1 μM)加入到 Tris-HAc 缓冲溶液中,反应 溶液(最终浓度,1 μM),H-G4 溶液(最终浓度,1 μM)和一系列液(0.50, 2.00, 8.00, 10.00, 20.00, 30.00, 50.00, 80.00 nM)于缓冲溶液成 T-Hg2+-T 结构和 G-四联体结构;第三步,将上述反应完成后的两反应 24 min,立即对其进行荧光信号强度的测试(激发波长为 490 射光谱。最后,我们还将此构建的荧光传感器用于实际水样中 Hg2+的人满意的实验结果。与讨论
图 2.2 GO 的 SEM (a) 和 TEM (b) 表征图感器检测机理光传感器的传感机制如图 2.1 所示。P2(5′-GTT GGG TTT GCT-3 TAT CCC ATC GGG TTG GGC GGG ATG GGAT-3′)是两条富 T 碱来特异性识别检测汞离子。同时 H-G4 还是一段富含 G 碱基的 DN条件下,H-G4 可以折叠形成 G-四联体结构[52],H-G4 的富 T 部分序g2+反应生成 T-Hg2+-T 结构。AO 与 GO 之间存在着 π-π 共轭作用和在 GO 表面形成 AO/GO 复合物。在这里,GO 作为荧光猝灭剂,荧光信号的降低(图 2.1 中 a 过程)。在 Hg2+存在的情况下,P2 序序列的 5′端发生杂交反应,发卡型结构的 H-G4 序列被打开,形成 联体结构(图 2.1 中 b 过程)。当 AO/GO 复合物与形成的 G-四联由于 AO 与 G-四联体结构之间存在着一种更强的结合力,AO/GO
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